[发明专利]半导体封装方法及半导体封装结构有效
申请号: | 202010758958.2 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN111883441B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 霍炎;涂旭峰 | 申请(专利权)人: | 矽磐微电子(重庆)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495;H01L23/498 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 401331 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 方法 结构 | ||
1.一种多芯片互连的半导体封装方法,其特征在于,其包括:
S1:将引线框与多个待封装芯片贴装于载板上,所述待封装芯片的正面朝向所述载板,所述引线框设有镂空区域,所述镂空区域沿厚度方向贯穿所述引线框,多个所述待封装芯片位于所述镂空区域中;所述引线框包括连接部,相邻所述镂空区域通过所述连接部隔开;所述连接部包括依次连接的第一部分、中间部分和第二部分,所述第一部分与所述第二部分位于所述中间部分的同一侧;
S2:通过包封层覆盖在所述待封装芯片、所述引线框以及露出的所述载板上,且填充于所述引线框的镂空区域内,形成包封结构件,所述包封结构件包括相对设置的第一表面和第二表面,所述待封装芯片的正面和所述引线框的第一面露出于所述第一表面;相邻两个所述镂空区域中的两个所述芯片中,其中一个芯片至少部分位于所述第一部分、所述中间部分和所述第二部分围合形成的区域;
S3:在所述包封结构件的第一表面形成第一再布线结构,所述第一再布线结构与所述待封装芯片的正面以及所述引线框的第一面均电连接,在所述包封结构件的第二表面形成第二再布线结构,所述第二再布线结构与所述引线框相对所述第一面设置的第二面电连接;所述待封装芯片的背面与所述第二再布线结构电连接;相邻两个所述镂空区域中的两个所述待封装芯片中,其中一个所述待封装芯片的正面通过所述第一再布线结构与所述连接部电连接,另一个所述待封装芯片的背面通过所述第二再布线结构与所述连接部电连接。
2.如权利要求1所述的多芯片互连的半导体封装方法,其特征在于,所述引线框还包括框体,所述框体内设有沿所述厚度方向贯穿所述框体的所述镂空区域;所述连接部的两端分别与所述框体相对的两侧连接。
3.如权利要求2所述的多芯片互连的半导体封装方法,其特征在于,所述连接部包括依次连接的第一部分、中间部分和第二部分,所述第一部分与所述第二部分分别与所述框体相对的两侧连接;所述第一部分远离所述连接部的一端与所述第二部分远离所述连接部的一端,均位于所述连接部的同一侧。
4.如权利要求2所述的多芯片互连的半导体封装方法,其特征在于,所述引线框还包括若干相互隔离的边缘部,所述边缘部的一端与所述框体连接,另一端向镂空区域延伸;每一所述镂空区域内均设有若干相互隔离的边缘部。
5.如权利要求1所述的多芯片互连的半导体封装方法,其特征在于,
所述引线框的厚度等于所述待封装芯片的厚度,在步骤S3之前,还包括对所述包封结构件的第二表面进行减薄至露出所述待封装芯片的背面、以及所述引线框的第二面;
在步骤S3中,所述包封结构件的第二表面形成的所述第二再布线结构直接覆设于所述待封装芯片的背面、以及所述引线框的第二面。
6.如权利要求1所述的多芯片互连的半导体封装方法,其特征在于,所述待封装芯片的正投影位于所述第二再布线结构的正投影之内。
7.如权利要求1所述的多芯片互连的半导体封装方法,其特征在于,在步骤S1之前,包括:在所述待封装芯片的正面形成保护层,并在所述保护层上形成保护层开口;或者,
在步骤S2之后,包括:在所述包封结构件的第一表面形成保护层,并在所述保护层上形成保护层开口。
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