[发明专利]晶圆上实现SLT自动多芯片同测系统

权利要求书

1.晶圆上实现SLT自动多芯片同测系统，包括底座(1)，其特征在于：所述底座(1)顶部表面的四角均固定连接有支撑杆(5)，所述支撑杆(5)的顶部固定连接有承载台(4)，所述承载台(4)顶部的表面开设有安装槽(17)，所述安装槽(17)内腔的底部横向固定连接有承载网板(16)，所述承载台(4)底部的表面开设有储纳室(15)，所述底座(1)顶部表面的左侧且位于左侧支撑杆(5)的右侧固定连接有真空泵(2)，所述真空泵(2)的右侧固定连通有连接管(3)，所述连接管(3)远离真空泵(2)的一侧延伸至储纳室(15)的内腔并固定连接有吸附总管(14)，所述吸附总管(14)的顶部固定连通有吸盘(13)，所述吸盘(13)顶部的表面开设有吸附孔(12)，所述底座(1)顶部表面的后侧固定连接有操作基板(10)，所述操作基板(10)正表面中心处的顶部开设有容纳槽(9)，所述容纳槽(9)的内腔固定连接有自动定位臂(7)，所述操作基板(10)的两侧均固定连接有连接线板(8)，所述连接线板(8)远离操作基板(10)的一侧固定连接有探针卡(6)，所述操作基板(10)正表面左侧的顶部镶嵌有控制面板(11)，所述控制面板(11)的输出端双向电连接有中央控制中心(19)，所述中央控制中心(19)通过数字测试通道双向连接有系统主板(18)，所述系统主板(18)的输入端与探针卡(6)的输出端信号连接，所述控制面板(11)的输出端分别与真空泵(2)和自动定位臂(7)双向电连接。

2.根据权利要求1所述的晶圆上实现SLT自动多芯片同测系统，其特征在于，所述储纳室(15)内腔的顶部与安装槽(17)内腔的底部连通，所述承载网板(16)底部的表面与储纳室(15)内腔的顶部接触。

3.根据权利要求1所述的晶圆上实现SLT自动多芯片同测系统，其特征在于，所述吸附总管(14)的外侧与储纳室(15)的内壁固定连接，所述吸盘(13)顶部的表面与承载网板(16)底部的表面之间存有间隙。

4.根据权利要求1所述的晶圆上实现SLT自动多芯片同测系统，其特征在于，所述控制面板(11)的中心线与容纳槽(9)的圆心在同一条直线上，所述控制面板(11)为液晶触摸屏，所述中央控制中心(19)为单片机，所述中央控制中心(19)和系统主板(18)均安装于控制面板(11)的背表面。

5.根据权利要求1所述的晶圆上实现SLT自动多芯片同测系统，其特征在于，所述底座(1)底部表面的四角均固定连接有弹性支撑垫块，弹性支撑垫块底部的表面开设有防滑纹。