[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

处理室，其对基板进行处理；

基板支撑部，其设置于所述处理室内，且具有多个载置所述基板的载置部；

主喷嘴，其与所述载置部对置地设置，且具有用于使处理气体成为热解状态的第一无孔部；以及

辅助喷嘴，其与所述载置部对置地设置，且具有用于使处理气体成为热解状态的第二无孔部。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述基板支撑部的下方或者所述基板支撑部内具有对基板进行加热的加热部，

所述第一无孔部和所述第二无孔部设置在与所述加热部对置的位置。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

设有多个所述辅助喷嘴，

多个所述辅助喷嘴构成为，从所述基板的旋转方向的上游侧到下游侧，长度各不相同。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

多个所述辅助喷嘴构成为，从所述基板的旋转方向的上游侧到下游侧，长度逐渐变短。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，

设有多个所述辅助喷嘴，

多个所述辅助喷嘴构成为，从所述基板的旋转方向的上游侧到下游侧，喷嘴直径各不相同。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

多个所述辅助喷嘴构成为，从所述基板的旋转方向的上游侧到下游侧，喷嘴直径逐渐变小。

7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

多个所述辅助喷嘴构成为，从所述基板的旋转方向的上游侧到下游侧，喷嘴直径逐渐变大。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

设有多个所述辅助喷嘴，

多个所述辅助喷嘴配置为，从所述基板的旋转方向的上游侧到下游侧，长度各不相同，且构成为，所述辅助喷嘴的长度与所述辅助喷嘴的直径具有比例关系。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

设有多个所述辅助喷嘴，

多个所述辅助喷嘴配置为，从所述基板的旋转方向的上游侧到下游侧，喷嘴直径各不相同，且构成为，所述辅助喷嘴的直径与设置于所述辅助喷嘴的孔的直径具有比例关系。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述主喷嘴和所述辅助喷嘴中的任一方以从所述处理室的外周侧供给所述处理气体的方式与气体供给系统连接，

所述主喷嘴和所述辅助喷嘴中的另一方以从所述处理室的中心侧供给所述处理气体的方式与气体供给系统连接。

11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

构成为所述主喷嘴和所述辅助喷嘴的前端各自开放。

12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在比所述基板支撑部靠外侧具有排放所述处理气体的第一排气部。

13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在比所述基板靠所述处理室的中心侧具有排放所述处理气体的第二排气部。

14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第二排气部设置于所述处理室的顶板侧。

15.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第二排气部设置于在所述处理室的中心侧设置的分隔部且与所述基板支撑部的旋转轴对置的面。