[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质

说明书

本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质，能够使旋转型装置中在基板形成的膜特性的面内均匀性提高。基板处理装置具有：对基板进行处理的处理室；设置于处理室内且具有多个载置基板的载置部的基板支撑部；与载置部对置地设置且具有用于使处理气体成为热解状态的第一无孔部的主喷嘴；以及与载置部对置地设置且具有用于使处理气体成为热解状态的第二无孔部的辅助喷嘴。

技术领域

本公开涉及一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质。

背景技术

作为对半导体基板进行处理的装置，已知有一种旋转型装置，其将多个基板在基板载置台上沿着周向配置，并使该基板载置台旋转，从而向多个基板供给多种气体。另外，已知有一种立式装置，其以装载了多个基板的状态，使用在基板的装载方向上延伸的原料气体喷嘴向多个基板供给原料气体。例如参照专利文献1、专利文献2。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017－34013号公报

专利文献2：日本特开2017－147262号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在旋转型装置中，例如将300mm的基板在周向上配置并进行加热处理。因此，例如在使用I字形状的喷嘴来供给原料气体时，会伴随着装置的高温化而导致向基板供给的原料气体在喷嘴内发生热解，并导致在基板的径向上形成的膜的膜厚不同。

本公开的目的在于解决上述课题，提供一种提高旋转型装置中在基板形成的膜特性的面内均匀性的技术。

用于解决课题的方案

根据本公开的一方案，提供如下技术，其具有：

对基板进行处理的处理室；

设置于所述处理室内且具有多个载置所述基板的载置部的基板支撑部；

与所述载置部对置地设置且具有用于使处理气体成为热解状态的第一无孔部的主喷嘴；

与所述载置部对置地设置且具有用于使处理气体成为热解状态的第二无孔部的辅助喷嘴。

发明的效果

根据本公开，能够提高旋转型装置中在基板形成的膜特性的面内均匀性。

附图说明

图1是本公开的第一实施方式的基板处理装置具备的反应器的横截面概略图。

图2是本公开的第一实施方式的基板处理装置具备的反应器的纵截面概略图，是图1所示反应器的A－A’线剖视图。

图3是说明本公开的第一实施方式的基板支撑机构的说明图。

图4的(A)是说明本公开的第一实施方式的原料气体供给部的说明图。图4的(B)是说明本公开的第一实施方式的反应气体供给部的说明图。图4的(C)是说明本公开的第一实施方式的第一惰性气体供给部的说明图。图4的(D)是说明本公开的第一实施方式的第二惰性气体供给部的说明图。

图5是用于对本公开的第一实施方式的基板处理装置具备的反应器的排气口进行说明的局部纵截面概略图。

图6是说明本公开的第一实施方式的喷嘴和在该喷嘴内流通的原料气体的热解量的说明图。

图7是说明本公开的第一实施方式的控制器的说明图。

图8是对本公开的第一实施方式的基板处理工序进行说明的流程图。

图9是对本公开的第一实施方式的基板处理工序进行说明的流程图。