[发明专利]制备大面积不同层数二维二硒化钼薄膜的方法和应用有效
| 申请号： | 202010760393.1 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111960388B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 印寿根;闫慧;于童 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 大面积 不同 层数 二维 二硒化钼 薄膜 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备大面积不同层数二维二硒化钼薄膜的方法，其特征在于，二维二硒化钼薄膜的单层尺寸长可达3mm；
方法包括以下步骤：
步骤1，将三氧化钼和氯化钠混合均匀，得到混合粉末，在炉体内，将单面抛光的二氧化硅基片设置在混合粉末的上方且二氧化硅基片的抛光面朝下，其中，按质量份数计，所述三氧化钼与氯化钠的比为(8～12)：1；
步骤2，将硒粉置于炉体中，在惰性气体下对硒粉和混合粉末分别进行加热，所述混合粉末的加热温度为T1℃，所述硒粉的加热温度为T2℃，使所述硒粉和混合粉末分别于T1和T2同时保持10～15min，冷却至室温20～25℃，在二氧化硅基片表面得到不同层数的二维二硒化钼薄膜，其中，T1＝800℃，T2＝770℃，按质量份数计，硒粉和混合粉末的比为(23～27):2.2，硒粉与混合粉末的距离为2.5厘米。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤1中，所述二氧化硅基片与混合粉末的距离为4.5～5.5mm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2中，所述惰性气体的速率为45～55标准立方厘米/分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤2中，所述加热的升温速率为30～50℃/min。
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