[发明专利]具有耐摩擦区域电路图形微波薄膜电路制作方法及其电路有效
申请号: | 202010760870.4 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN111900092B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 王斌;宋振国;桑锦正;付延新 | 申请(专利权)人: | 中电科思仪科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/70;H01L23/498 |
代理公司: | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人: | 陈岚崴 |
地址: | 266000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 摩擦 区域 电路 图形 微波 薄膜 制作方法 及其 | ||
1.一种具有耐摩擦区域电路图形的微波薄膜电路制作方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
步骤1:采用低温共烧陶瓷技术,制作陶瓷电路基板及其上耐摩擦区域及非耐摩擦区域;设置耐摩擦区域与非耐摩擦区域是相互连接在一起的一体化图形,在耐摩擦区域和非耐摩擦区域交界的位置,将耐摩擦区域图形向非耐摩擦区域方向做适当延长作为过渡区,过渡区用于减小耐摩擦区域和非耐摩擦区域之间的接触电阻;
步骤2:采用薄膜电路制作技术在陶瓷电路基板上形成一凹型的光刻胶掩蔽膜图形,光刻胶掩蔽膜图形是由耐摩擦区域和陶瓷电路基板上非电路图形区域合并组成的,用以将耐摩擦区域和陶瓷电路基板上非电路图形区域覆盖起来;
步骤3,采用溅射或者蒸发技术在陶瓷电路基板上形成金薄膜,采用厚度300±50埃的TiW或Cr薄膜作为附着层,溅射或蒸发的金薄膜厚度为2000±100埃;
步骤4,然后去除光刻胶掩蔽膜图形及其上的金薄膜,形成电路;
步骤5,采用薄膜电路制作技术,在陶瓷电路基板上形成光刻胶掩蔽膜图形,所述光刻掩蔽膜图形是与步骤2相同,都是由耐摩擦区域和陶瓷电路基板上非电路图形区域合并组成的,用以将耐摩擦区域和陶瓷电路基板上非电路图形区域覆盖起来;
步骤6,电镀加厚金层到大于2.5μm厚度;
步骤7,去除光刻胶掩蔽膜图形,得到需要的电路。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述过渡区长度的范围设置为0μmb≤50μm。
3.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,制作陶瓷电路基板及其上耐摩擦区域及非耐摩擦区域过程中,在等静压工序,需要将带有电路的一面面向硬质承载板,以减小印刷浆料带来的电路表面不平整性,避免后续薄膜形成过程中因台阶过高造成的良品率下降问题,所采用印刷浆料为金浆,烧结温度为850±5℃,烧结后厚度为10±2μm。
4.一种具有耐摩擦区域电路图形的微波薄膜电路,其特征在于,根据权利要求1-3所述的制作方法制作而成的具有耐摩擦区域电路图形的微波薄膜电路,包括陶瓷基板、耐摩擦区域和非耐摩擦区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造