[发明专利]具有耐摩擦区域电路图形微波薄膜电路制作方法及其电路有效
申请号: | 202010760870.4 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN111900092B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 王斌;宋振国;桑锦正;付延新 | 申请(专利权)人: | 中电科思仪科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/70;H01L23/498 |
代理公司: | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人: | 陈岚崴 |
地址: | 266000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 摩擦 区域 电路 图形 微波 薄膜 制作方法 及其 | ||
本发明公开了一种具有耐摩擦区域电路图形的微波薄膜电路制作方法及其电路,采用低温共烧陶瓷技术,首先完成电路上耐摩擦区域与陶瓷电路基板的共烧,然后采用传统薄膜电路制作技术,经过基片清洗、溅射或蒸发、光刻蚀、电镀等工序,完成非耐摩擦区域的制作,在满足电路特定区域耐磨性能的同时,保证电路的线条精度。本发明与现有最好技术相比较,可满足电路特定区域耐磨性能要求,同时又能够保证电路的线条精度,并且具有稳定性好、性价比高的优点。
技术领域
本发明涉及薄膜电路制作技术领域,尤其涉及的是,一种具有耐摩擦区域电路图形的微波薄膜电路制作方法及其电路。
背景技术
为了满足低电阻率、高抗电迁移能力、良好的可焊性和稳定性,同时保持良好的微波信号传输性能,传统薄膜电路制作技术涉及到基片清洗、溅射或蒸发、光刻蚀、电镀等工序,其中在电镀工序,为了满足薄膜电路的电气性能指标,通常会采用电镀金作为导电层,同时为了满足部分电路上特定区域的耐摩擦要求,通常采用加厚镀金层厚度或者电镀硬金的方法来解决,但是由于金本身特有的软质地特性,无法完全满足电路特定区域的耐磨性能。现有技术的缺点有两个:一是耐磨擦区域的性能受电镀液的金含量、电镀液的PH值、电镀液温度以及长时间使用后电镀液中的总碳含量等因素的影响较大,工艺稳定性差;二是该方法的成本也较高。
因此,现有技术存在缺陷,需要改进。
发明内容
为解决现有技术中存在的问题,本发明提供一种具有耐摩擦区域电路图形的微波薄膜电路制作方法及其电路。
本发明的技术方案如下:一种具有耐摩擦区域电路图形的微波薄膜电路制作方法,具体包括以下步骤:
步骤1:采用低温共烧陶瓷技术,制作陶瓷电路基板及其上耐摩擦区域及非耐磨擦区域;设置耐磨擦区域与非耐磨擦区域是相互连接在一起的一体化图形,在耐磨擦区域和非耐磨擦区域交界的位置,将耐磨擦区域图形向非耐磨区域方向做适当延长作为过渡区,过渡区用于减小耐磨区域和非耐磨区域之间的接触电阻;
步骤2:采用薄膜电路制作技术在陶瓷电路基板上形成一凹型的光刻胶掩蔽膜图形,光刻胶掩蔽膜图形是由耐磨擦区域和电路基板上非电路图形区域合并组成的,用以将耐磨擦区域和电路基板上非电路图形区域覆盖起来;
步骤3,采用溅射或者蒸发等技术在电路基板上形成金薄膜,采用厚度约300±50埃的TiW或Cr薄膜作为附着层,溅射或蒸发的金薄膜厚度为2000±100埃;
步骤4,然后去除光刻胶掩蔽膜图形及其上的金薄膜,形成电路;
步骤5,采用薄膜电路制作技术,在陶瓷电路基板上形成光刻胶掩蔽膜图形,所述光刻掩蔽膜图形是与步骤2相同,都是由耐磨擦区域和电路基板上非电路图形区域合并组成的,用以将耐磨区域和电路基板上非电路图形区域覆盖起来;
步骤6,电镀加厚金层到大于2.5μm厚度;
步骤7,去除光刻胶掩蔽膜图形,得到需要的电路。
上述中,所述过渡区长度的范围设置为0μmb≤50μm。
上述中,制作陶瓷电路基板及其上耐摩擦区域及非耐磨擦区域过程中,在等静压工序,需要将带有电路的一面面向硬质承载板,以减小印刷浆料带来的电路表面不平整性,避免后续薄膜形成过程中因台阶过高造成的良品率下降问题,所采用印刷浆料为金浆,烧结温度为850±5℃,烧结后厚度为10±2μm。
本发明的另一技术方案为根据上述制作方法制作而成的具有耐摩擦区域电路图形的微波薄膜电路,包括陶瓷基板、耐摩擦区域和非耐摩擦区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造