[发明专利]一种晶圆热盘结构在审
申请号: | 202010761246.6 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN111863670A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 许志雄 | 申请(专利权)人: | 芯米(厦门)半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人: | 吴圳添 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆热 盘结 | ||
本发明公开了一种晶圆热盘结构,其结构包括主体、顶盖、把手、调节机构、电源线、工控模块、加热盘体、加热丝和温度控制器,通过设置了调节机构在主体内部左端,可通过转动丝杆带动第一连杆转动,第一连杆通过第二连杆带动顶板向上端移动,顶板带动支撑杆向上端移动,使晶圆底部与加热盘体相分离,便于对晶圆的转移和提高转移速率,节约时间,降低对晶圆表面的接触,而且操作简单,节省人力。
技术领域
本发明涉及半导体薄膜沉积应用及制造技术领域,具体涉及一种晶圆热盘结构。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅,硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆,目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主,现阶段,中国半导体制造业是国家重大战略支持产业,是高端技术制造业,是国家核心竞争力,发展我国自主研发的晶圆生产设备尤为关键,晶圆制程中如果控制晶圆温度,是晶圆刻蚀、物理沉积过程中重要步骤。
晶圆可放置在加热盘上加热,晶圆在加热完后,需将晶圆从加热盘体端取出,晶圆整体较为平整,且晶圆底部与加热盘接触较为完整,在取出晶圆时,需耗费较多时间,且容易对晶圆表面产生接触。
发明内容
(一)要解决的技术问题
为了克服现有技术不足,现提出一种晶圆热盘结构,解决了晶圆可放置在加热盘上加热,晶圆在加热完后,需将晶圆从加热盘体端取出,晶圆整体较为平整,且晶圆底部与加热盘接触较为完整,在取出晶圆时,需耗费较多时间,且容易对晶圆表面产生接触的问题。
(二)技术方案
本发明通过如下技术方案实现:本发明提出了一种晶圆热盘结构,包括主体、顶盖、把手、调节机构、电源线、工控模块、加热盘体、加热丝和温度控制器,所述主体顶部通过合页与顶盖铰接,所述主体顶部固定连接有把手,所述主体内端连接有电源线,所述主体右侧面设有工控模块,所述主体内部左端设有加热盘体,所述加热盘体内固定连接有加热丝,所述主体右端设有温度控制器,所述电源线、加热盘体、加热丝和温度控制器均与工控模块电连接,所述调节机构固定安装于加热盘体内下端。
进一步的,所述调节机构包括转动杆、丝杆、底板、第一连杆、第二连杆、顶板和支撑机构,所述转动杆右端与加热盘体转动连接,所述转动杆右端与丝杆同轴转动,所述底板固定安装于加热盘体内底端,所述第一连杆下端与底板转动连接,并且第一连杆下端与丝杆螺纹连接,所述第二连杆中端与第一连杆转动连接,所述顶板底端与第一连杆转动连接,所述支撑机构固定安装于顶板顶端。
进一步的,所述支撑机构包括支撑杆、弹簧和接触板,所述支撑杆底部与顶板固定连接,所述弹簧一端与支撑杆固定连接,所述接触板与弹簧另一端固定连接。
进一步的,所述加热盘体下端设有一安装槽,且加热盘体左端连接有一辅助孔。
进一步的,所述丝杆无外力迫使时,支撑杆顶端面与加热盘体顶端面相持平。
进一步的,所述顶板与支撑杆垂直连接,且顶板与上端呈圆柱形结构。
进一步的,所述弹簧无外力迫使时,接触板侧面与加热盘体相互接触,并且接触板上下两端与支撑杆紧密相连接。
进一步的,所述支撑杆呈等距安装于顶板顶部,且支撑杆与加热盘体内侧面之间的间隔为0.1CM。
进一步的,所述弹簧呈对称安装于接触板上下两端,且接触板固定安装于支撑杆左右两端。
进一步的,所述支撑杆具有肩部,所述接触板固定安装于所述支撑杆肩部的左右两端。
进一步的,所述弹簧材质为琴钢丝。
进一步的,所述第一连杆材质为铝合金。
(三)有益效果
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造