[发明专利]氢离子捕捉器、防硫酸铵系统、光刻系统及防硫酸铵方法

说明书

本申请公开了一种氢离子捕捉器、防硫酸铵系统、光刻系统及防硫酸铵方法，该防硫酸铵系统包括：薄膜，设置于掩模版的掩模底面上，与所述掩模底面围成一密闭空间，所述密闭空间包围所述掩模版的胶片；氢离子捕捉器，通过两条管道分别与所述密闭空间的两侧相连通；该氢离子捕捉器包括：壳体、设置在所述壳体内的电解质容器、水合凝胶层、电极、供电模块和水收集器。本申请的防硫酸铵系统，能够通过氢离子捕捉器去除空气中的氢离子，向薄膜与掩模版所围成的密闭空间内输入过滤掉氢离子的空气，通过空气将胶片在曝光时产生的氨排出，从而防止有害硫酸铵的生成，避免产生硫酸铵附着在胶片上的情况。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种氢离子捕捉器、防硫酸铵系统、光刻系统及防硫酸铵方法。

背景技术

因为激光光源(193nm)的作用，MoSi胶片内的氨会被释出，会产生NH₃和NH4+。MoSi的表面氧化，形成铵(NH₄+)和氨(NH₃)。有害物质发生的种类有3种,其中硫酸铵为代表。现有技术虽然致力于解决有害物质铵的产生问题,但是在掩模版周围因为存在着氢离子(H+),仍然会产生硫酸铵。如图1和图2所示，如果用对掩模版(Reticle)进行曝光的光源13进行照明,那么掩模版的硅化钼(MoSi)胶片15材料会释放出氨。掩模版周围的氢离子(H+)和氨结合后,会生成有害的硫酸铵18，硫酸铵18附着在胶片15上会损坏胶片15。

发明内容

本申请的目的是提供一种氢离子捕捉器、防硫酸铵系统、光刻系统及防硫酸铵方法。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种氢离子捕捉器，包括：

氢离子捕捉器，其特征在于，包括：

壳体；

设置在所述壳体内的电解质容器、水合凝胶层、电极、供电模块和水收集器；

所述水合凝胶层设置在所述电解质容器的外壁上；

所述电极的一端穿过所述电解质容器插入所述水合凝胶层内，另一端位于所述电解质容器内并与所述供电模块相连接；

所述水收集器嵌入在所述电解质容器的壁中，其两端分别位于所述电解质容器的内部和外部。

根据本申请实施例的另一个方面，提供一种掩模版的防硫酸铵系统，包括：

薄膜，设置于所述掩模版的掩模底面上，与所述掩模底面围成一密闭空间，所述密闭空间包围所述掩模版的胶片；

上述的氢离子捕捉器，通过输入管和输出管分别与所述密闭空间的两侧相连通，所述输出管用于将所述氢离子捕捉器中过滤氢离子后的空气输入所述密闭空间内，所述输入管用于将所述密闭空间内的空气输入到所述氢离子捕捉器内。

根据本申请实施例的另一个方面，提供一种光刻系统，包括：

透镜系统；

设置于透镜系统上方的光源；

设置于所述透镜系统内的掩模版；

薄膜，设置于所述掩模版的底面上，与所述掩模版围成密闭空间；

上述的氢离子捕捉器，设置于透镜系统外部，通过输入管和输出管分别与所述密闭空间的两侧相连通，所述输出管用于将所述氢离子捕捉器中过滤氢离子后的空气输入所述密闭空间内，所述输入管用于将所述密闭空间内的空气输入到所述氢离子捕捉器内。

根据本申请实施例的另一个方面，提供一种掩模版的防硫酸铵方法，通过上述的掩模版的防硫酸铵系统实现，所述方法包括：