[发明专利]一种新型的紫外LED芯片电极制备方法在审
| 申请号： | 202010761690.8 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111769188A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 周启航 | 申请（专利权）人： | 佛山紫熙慧众科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 紫外 led 芯片 电极 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型的紫外LED芯片电极制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
S1：在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极；
S2：将金属图形电极融化，使得金属图形电极向紫外LED芯片的半导体层内扩散，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其特征在于，所述S1中，通过3D打印技术在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极。
3.根据权利要求1所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其特征在于，所述S2中，利用激光对金属图形电极进行熔融扩散。
4.根据权利要求1所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其特征在于，所述S1中，紫外LED芯片的p型层包括P型氮化铝镓或P型氮化镓或P型铟镓氮或P型氮化铝或p型金刚石或p型石墨烯或p型硅或p型锗化硅或p型钙钛矿材料或p型硅碳或P型氮化硼。
5.根据权利要求1所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其特征在于，所述S1中，紫外LED芯片的p型层的制备方法包括激光溅射、或化学气相沉积外延、或3D打印或溶胶凝胶制备。
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