[发明专利]一种新型的紫外LED芯片电极制备方法

说明书

本发明公开了一种新型的紫外LED芯片电极制备方法，具体包括以下步骤：S1：在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极；S2：将金属图形电极融化，使得金属图形电极向紫外LED芯片的半导体层内扩散，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触，以降低接触电阻；本技术方案中，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触，最终降低接触电阻，提高空穴向紫外LED多量子阱内注入效率，提升紫外LED的发光效率。

技术领域

本发明涉及光电子器件技术领域，尤其涉及的是一种新型的紫外LED芯片电极制备方法。

背景技术

紫外发光二极管（light emitting diode，以下简称LED），因其波长短、光子能量高、光束均匀等优点，在物理杀菌、高显色指数的照明以及高密度光存储等领域有着重要的应用。目前，大量的研究已经在晶体质量、高A1组分和短波长结构设计等技术方面取得了重要突破，成功制备300纳米以下的深紫外LED器件，实现毫瓦级的功率输出，并在可靠性方面取得很大进展。

然而，高A1组分的AlGaN材料会降低载流子浓度和载流子迁移率。随着A1组分的增加，Mg原子的受主激活能线性增加，使得p型掺杂激活率很低，室温下空穴浓度很低，因此，p型欧姆接触的制备变得非常困难。而良好的欧姆接触决定着电注入效率，从而直接影响半导体器件的整体性能。所以，亟待一种能提高空穴向紫外LED多量子阱内注入效率、提升紫外LED发光效率的方法。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新型的紫外LED芯片电极制备方法，以提高空穴向紫外LED多量子阱内的注入效率，提升紫外LED的发光效率。

本发明的技术方案如下：一种新型的紫外LED芯片电极制备方法，其中，具体包括以下步骤：

S1：在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极；

S2：将金属图形电极融化，使得金属图形电极向紫外LED芯片的半导体层内扩散，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触。

所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其中，所述S1中，通过3D打印技术在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极。

所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其中，所述S2中，利用激光对金属图形电极进行熔融扩散。

所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其中，所述S1中，紫外LED芯片的p型层包括P型氮化铝镓或P型氮化镓或P型铟镓氮或P型氮化铝或p型金刚石或p型石墨烯或p型硅或p型锗化硅或p型钙钛矿材料或p型硅碳或P型氮化硼。

所述的新型的紫外LED芯片电极制备方法，其中，所述S1中，紫外LED芯片的p型层的制备方法包括激光溅射、或化学气相沉积外延、或3D打印或溶胶凝胶制备。

本发明的有益效果：本发明通过提供一种新型的紫外LED芯片电极制备方法，具体包括以下步骤：S1：在紫外LED芯片的p型层表面打印出金属图形电极；S2：将金属图形电极融化，使得金属图形电极向紫外LED芯片的半导体层内扩散，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触，以降低接触电阻；本技术方案中，在宽禁带的p型AlGaN与金属图形电极之间形成良好的欧姆接触，最终降低接触电阻，提高空穴向紫外LED多量子阱内注入效率，提升紫外LED的发光效率。

附图说明

图1是本发明中新型的紫外LED芯片电极制备方法的步骤流程图。

具体实施方式