[发明专利]一种紫外LED芯片流体金属连接电极结构在审
| 申请号： | 202010761696.5 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111769189A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 周启航 | 申请（专利权）人： | 佛山紫熙慧众科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/64 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 芯片 流体 金属 连接 电极 结构 | ||
1.一种紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其特征在于，包括在LED芯片表面设置若干个液态金属流体通道，每个液态金属流体通道与LED芯片的一个金属电极相连接，每个液态金属流体通道中有液态金属。
2.根据权利要求1所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其特征在于，所述液态金属流体通道与芯片的发光区域不重叠，但液态金属流体通道覆盖紫外LED芯片的所有非发光区域。
3.根据权利要求1所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其特征在于，所述液态金属流体通道中的液态金属处于流动状态。
4.根据权利要求1所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其特征在于，所述液态金属采用汞合金、钠钾合金、镓合金。
5.根据权利要求1所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其特征在于，所述的液态金属流体通道包括流体盛贮器及沟道，流体盛贮器和沟道连接，沟道与紫外LED芯片的金属电极紧密连接。
6.根据权利要求5所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其特征在于，所述沟道为微米或毫米级别的沟道。
7.根据权利要求1所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其特征在于，所述液态金属流体通道包括正电极液态金属流体通道和负电极液态金属流体通道，正电极液态金属流体通道和负电极液态金属流体通道之间相互不连接导通。
8.根据权利要求7所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其特征在于，正电极液态金属流体通道和正电极液态金属流体通道之间连接导通，或正电极液态金属流体通道和正电极液态金属流体通道之间不连接导通。
9.根据权利要求7或8任一所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其特征在于，负电极液态金属流体通道和负电极液态金属流体通道之间连接导通，或负电极液态金属流体通道和负电极液态金属流体通道之间不连接导通。
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