[发明专利]一种紫外LED芯片流体金属连接电极结构

说明书

本发明公开了一种紫外LED芯片流体金属连接电极结构，包括在LED芯片表面设置若干个液态金属流体通道，每个液态金属流体通道与LED芯片的一个金属电极相连接，每个液态金属流体通道中有液态金属；本技术方案中，通过设置液态金属流体通道与LED芯片的发光区域不重叠，但覆盖所有非发光区域保证LED热量从芯片中输运出去，液态金属电极在通电工作的同时保持流动状态，进一步保证LED芯片的散热。

技术领域

本发明涉及光电子器件技术领域，尤其涉及的是一种紫外LED芯片流体金属连接电极结构。

背景技术

紫外发光二极管（light emitting diode，以下简称LED），因其波长短、光子能量高、光束均匀等优点，在物理杀菌、高显色指数的照明以及高密度光存储等领域有着重要的应用。目前，大量的研究已经在晶体质量、高A1组分和短波长结构设计等技术方面取得了重要突破，成功制备300纳米以下的深紫外LED器件，实现毫瓦级的功率输出，并在可靠性方面取得很大进展。

但是，众所周知LED在运行时发热量比较大，如果热量不能及时散发出去会对紫外LED的使用寿命和正常运行有很大影响，在一定程度上限制了紫外LED的推广应用。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种紫外LED芯片流体金属连接电极结构，旨在解决现有的紫外LED运行时发热量大，热量积存不容易散发，影响紫外LED的使用寿命和正常运行的问题。

本发明的技术方案如下：一种紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其中，包括在LED芯片表面设置若干个液态金属流体通道，每个液态金属流体通道与LED芯片的一个金属电极相连接，每个液态金属流体通道中有液态金属。

所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其中，所述液态金属流体通道与芯片的发光区域不重叠，但液态金属流体通道覆盖紫外LED芯片的所有非发光区域。

所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其中，所述液态金属流体通道中的液态金属处于流动状态。

所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其中，所述液态金属采用汞合金、钠钾合金、镓合金。

所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其中，所述的液态金属流体通道包括流体盛贮器及沟道，流体盛贮器和沟道连接，沟道与紫外LED芯片的金属电极紧密连接。

所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其中，所述沟道为微米或毫米级别的沟道。

所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其中，所述液态金属流体通道包括正电极液态金属流体通道和负电极液态金属流体通道，正电极液态金属流体通道和负电极液态金属流体通道之间相互不连接导通。

所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其中，正电极液态金属流体通道和正电极液态金属流体通道之间连接导通，或正电极液态金属流体通道和正电极液态金属流体通道之间不连接导通。

所述的紫外LED芯片流体金属连接电极结构，其中，负电极液态金属流体通道和负电极液态金属流体通道之间连接导通，或负电极液态金属流体通道和负电极液态金属流体通道之间不连接导通。

本发明的有益效果：本发明通过提供一种紫外LED芯片流体金属连接电极结构，通过设置液态金属流体通道与LED芯片的发光区域不重叠，但覆盖所有非发光区域保证LED热量从芯片中输运出去，液态金属电极在通电工作的同时保持流动状态，进一步保证LED芯片的散热。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施方式，下面描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。