[发明专利]垂直半导体器件

权利要求书

1.一种垂直半导体器件，所述垂直半导体器件包括：

衬底；

单元阵列区域，所述单元阵列区域包括存储单元，所述单元阵列区域形成在所述衬底上；

焊盘区域，所述焊盘区域形成在所述衬底上，并且所述焊盘区域中形成有电连接所述存储单元的接触栓；

栅极图案，所述栅极图案在与所述衬底的上表面垂直的垂直方向上堆叠，每个所述栅极图案在所述单元阵列区域和所述焊盘区域上沿与所述衬底的所述上表面平行的第一方向延伸，并且所述栅极图案包括焊盘，所述焊盘分别设置在所述焊盘区域中以及相应的所述栅极图案的在所述第一方向上的边缘部分处；

绝缘层，所述绝缘层分别位于在所述垂直方向上相邻的栅极图案之间；以及

沟道结构，所述沟道结构位于所述单元阵列区域中并穿过所述栅极图案，所述沟道结构沿所述垂直方向延伸，

其中，位于所述焊盘区域上的所述栅极图案和所述绝缘层用作焊盘结构，并且所述焊盘结构包括具有台阶形状的第一阶梯结构、具有台阶形状并设置在所述第一阶梯结构下方的第二阶梯结构、位于所述第一阶梯结构与所述第二阶梯结构之间的平坦表面部分以及形成在所述平坦表面部分上的虚设阶梯结构，所述第二阶梯结构在所述第一方向上与所述第一阶梯结构间隔开。

2.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中，所述虚设阶梯结构的至少两个相对的侧壁具有台阶形状。

3.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中，所述虚设阶梯结构的最上表面低于所述第一阶梯结构的最上表面。

4.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中，所述第一阶梯结构包括在所述第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向上的台阶，并且所述虚设阶梯结构的最上表面的高度与被设置为与所述第一阶梯结构的最下部分的延伸垂直侧壁接触的最下台阶的上表面的高度相同。

5.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中，所述第二阶梯结构在所述第一方向和与所述第一方向垂直的第二方向上包括台阶，并且所述虚设阶梯结构的形成高台的上表面的高度与所述第二阶梯结构的形成高台的上表面的高度相同。

6.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中，所述虚设阶梯结构与所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构中的每一者间隔开，并且所述虚设阶梯结构延伸到所述焊盘结构的在与所述第一方向垂直的第二方向上的相对的最外端。

7.根据权利要求6所述的垂直半导体器件，其中，所述虚设阶梯结构的在所述第一方向上的彼此相对的侧壁具有台阶形状，并且所述虚设阶梯结构的在所述第二方向上的彼此相对的侧壁垂直于所述衬底的所述上表面。

8.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中，在所述垂直半导体器件的俯视图中，所述虚设阶梯结构与所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构中的每一者间隔开，并且所述虚设阶梯结构具有四边形形状。

9.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中，所述第二阶梯结构包括形状与所述第一阶梯结构的台阶的形状相同的台阶。

10.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中，在所述平坦表面部分上形成有凹槽，并且所述凹槽的在所述第一方向上的相对的侧壁具有台阶形状，其中，所述凹槽用作所述虚设阶梯结构。

11.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，所述垂直半导体器件还包括：接触栓，所述接触栓沿所述垂直方向延伸，并且分别接触所述第一阶梯结构的所述焊盘的上表面和所述第二阶梯结构的所述焊盘的上表面。

12.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，所述垂直半导体器件还包括穿过所述平坦表面部分的贯穿通路接触。

13.根据权利要求1所述的垂直半导体器件，其中，所述平坦表面部分在所述第一方向上的宽度为15μm至40μm。