[发明专利]半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上多个分立的鳍部，所述基底包括相邻的器件区和隔离区，所述衬底上形成有金属栅极结构，所述金属栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述金属栅极结构露出的所述衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层覆盖所述金属栅极结构的侧壁；

进行干法刻蚀处理，依次刻蚀所述隔离区中的所述金属栅极结构以及位于所述金属栅极结构下方的所述鳍部，形成由所述层间介质层和剩余的所述基底围成的隔离槽；

在所述隔离槽中形成隔离结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述层间介质层和所述金属栅极结构的步骤包括：在所述基底上形成层间介质层，所述层间介质层中形成有横跨所述鳍部的栅极开口；

在所述栅极开口中形成金属栅极结构，所述金属栅极结构包括保形覆盖所述栅极开口的底部和侧壁的功函数层、以及覆盖所述功函数层并填充于所述栅极开口中的栅电极层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述栅极开口中形成金属栅极结构之前，还包括：形成保形覆盖所述栅极开口的底部和侧壁的高k栅介质层；

刻蚀所述隔离区中的所述金属栅极结构的步骤中，以所述高k栅介质层作为刻蚀停止层；

所述干法刻蚀处理的步骤还包括：在刻蚀所述隔离区中的所述金属栅极结构后，刻蚀所述鳍部之前，刻蚀位于所述衬底顶部和所述鳍部顶部的所述高k栅介质层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，刻蚀所述隔离区中的所述金属栅极结构的步骤中，所述金属栅极结构和所述高k栅介质层的刻蚀选择比大于10:1。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，刻蚀所述隔离区中的所述金属栅极结构之前，还包括：形成覆盖所述层间介质层和金属栅极结构的硬掩膜层；

所述干法刻蚀处理的步骤还包括：在刻蚀所述隔离区中的所述金属栅极结构之前，刻蚀所述隔离区中的所述硬掩膜层，形成位于所述金属栅极结构上方的掩膜开口；

形成所述隔离槽的步骤中，以剩余的所述硬掩膜层为掩膜，沿所述掩膜开口依次刻蚀所述金属栅极结构以及位于所述金属栅极结构下方的所述鳍部。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述干法刻蚀处理的步骤还包括：在刻蚀所述鳍部后，刻蚀部分厚度的所述衬底。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述干法刻蚀处理的工艺为各向异性的干法刻蚀工艺。

8.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，刻蚀所述隔离区中的所述金属栅极结构的步骤中，刻蚀所述金属栅极结构的工艺参数包括：偏置功率为400W至1000W，刻蚀时间为20S至200S，偏置电压0V至100V。

9.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，刻蚀所述隔离区中的所述金属栅极结构的步骤中，刻蚀气体包括SF₆、CF₄和NF₃中的一种或多种。

10.如权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，刻蚀位于所述衬底顶部和所述鳍部顶部的所述高k栅介质层的步骤中，刻蚀气体包括BCl₃和Cl₂中的一种或两种。

11.如权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，刻蚀位于所述衬底顶部和所述鳍部顶部的所述高k栅介质层的步骤中，刻蚀工艺的参数包括：偏置功率为400W至1200W，刻蚀时间为10S至100S，偏置电压50V至300V。

12.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，沿所述鳍部的延伸方向，所述基底包括相邻的器件区和隔离区。