[发明专利]半导体结构及其形成方法，半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底的衬底内形成有相邻接的阱区和漂移区，所述阱区和所述漂移区交界处的所述衬底上形成有栅极结构，且所述漂移区的所述衬底上形成有伪栅极结构；

在所述伪栅极结构远离所述栅极结构的一侧的所述漂移区内形成漏区，所述伪栅极结构和所述漏区在垂直于所述衬底的方向上的投影相交或部分重叠；

形成隔离层，所述隔离层至少位于所述栅极结构和伪栅极结构之间且分别与所述栅极结构和所述伪栅极结构相接触，位于所述栅极结构和伪栅极结构之间的所述隔离层的厚度小于所述伪栅极结构的厚度；

在所述隔离层上形成导电结构，所述导电结构至少覆盖所述伪栅极结构和栅极结构相邻的侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层还覆盖所述伪栅极结构的侧壁和所述栅极结构的侧壁。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离层还覆盖所述伪栅极结构的部分顶部和所述栅极结构的部分顶部。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底的形成步骤包括：

提供衬底，并在所述衬底上形成相邻接的阱区和漂移区；

在所述阱区和所述漂移区交界处的所述衬底上形成所述栅极结构，且在所述漂移区的所述衬底上形成所述伪栅极结构。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述阱区和所述漂移区交界处的所述衬底上形成所述栅极结构，且在所述漂移区的所述衬底上形成所述伪栅极结构的步骤包括：

在所述漂移区和所述阱区上形成栅介质材料层，所述栅介质材料层覆盖所述衬底；

在所述栅介质材料层上沉积栅极材料层，所述栅极材料层覆盖所述栅介质材料层；

图形化所述栅极材料层和所述栅介质材料层，形成分立的第一栅介质层和第二栅介质层，以及位于所述第一栅介质层上的第一栅极层和位于所述第二栅介质层上的第二栅极层，其中，所述第一栅介质层和所述第一栅极层构成所述栅极结构，所述第二栅介质层和所述第二栅极层构成所述伪栅极结构。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形化所述栅极材料层和所述栅介质材料层的工艺为干法刻蚀工艺。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成隔离层的步骤包括：

在所述基底上形成隔离材料层，所述隔离材料层分别覆盖所述衬底、所述栅极结构和所述伪栅极结构；

刻蚀所述隔离材料层，形成所述隔离层。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述形成隔离层后形成所述导电结构之前，还包括：

在所述衬底上形成介电层，所述介电层覆盖所述衬底和所述隔离层；

形成所述导电结构的步骤包括：

刻蚀所述介电层，形成露出所述隔离层的第一沟槽；

在所述第一沟槽中填充导电材料，形成所述导电结构。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述阱区中形成源区，所述源区和所述漏区中均掺杂有第一型离子。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用离子注入的方式对所述栅极结构露出的所述阱区的顶端掺杂第二型离子，形成所述掺杂区，所述掺杂区位于所述源区的远离所述栅极结构的一侧。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述介电层的步骤还包括：

刻蚀所述介电层，形成第一通孔，所述第一通孔露出所述掺杂区、所述源区、所述漏区以及所述栅极结构；

在所述第一通孔中填充导电材料，形成接触孔插塞。