[发明专利]一种半导体表面处理方法

权利要求书

1.一种半导体表面处理方法，其特征在于，包括：

对半导体表面进行预清洗；

将预清洗后的半导体放置于浓度为5％的硫酸溶液中清洗5min；

将酸洗后的半导体放置于温度为50℃～60℃的去离子水中漂洗20min～30min，并烘干；

将烘干后的半导体放入真空溅射炉中，采用溅射方式在半导体衬底的表面镀上铝，并在温度为350℃、氮气流量为8.5L/min的条件下进行硅铝合金处理，相应形成第一合金层；

抽真空至真空溅射炉的真空度为9Pa～10^-1Pa，采用50％～60％的电流对半导体进行离子轰击清洗，离子轰击清洗完成后抽真空至真空溅射炉的真空度为5*10^-2Pa～5*10^-3Pa，通入氩气，启动镍靶溅射45min～50min完成镀镍，镀镍完成后启动锡靶溅射20min～25min完成镀锡，相应形成第二合金层；其中，镀镍功率为9kW～10kW，离子轰击电流为20A～25A；镀锡功率为5kW～6.5kW，离子轰击电流为8A～10A；

采用溅射方式在第二合金层的表面镀上金，相应形成导电层。

2.如权利要求1所述的半导体表面处理方法，其特征在于，所述第一合金层的厚度为35nm～40nm。

3.如权利要求1所述的半导体表面处理方法，其特征在于，所述第二合金层的厚度为5nm。

4.如权利要求1所述的半导体表面处理方法，其特征在于，所述导电层的厚度为2nm～3nm。