[发明专利]一种半导体表面处理方法

说明书

本发明公开了一种半导体表面处理方法，包括：对半导体表面进行预清洗；将半导体放置于浓度为5％的硫酸溶液中清洗5min；将半导体放置于温度为50℃～60℃的去离子水中漂洗20min～30min，并烘干；将半导体放入真空溅射炉中，采用溅射方式在半导体衬底的表面镀上铝，并在温度为350℃、氮气流量为8.5L/min的条件下进行硅铝合金处理，相应形成第一合金层；抽真空至真空度为9Pa～10^‑1Pa，采用50％～60％的电流对半导体进行离子轰击清洗，抽真空至真空度为5*10^‑2Pa～5*10^‑3Pa，通入氩气，启动镍靶溅射45min～50min完成镀镍，启动锡靶溅射20min～25min完成镀锡，相应形成第二合金层；采用溅射方式在第二合金层的表面镀上金，相应形成导电层。采用本发明的技术方案能够有效防止半导体晶片损坏，提高成品率，并且避免环境污染。

技术领域

本发明涉及微电子加工技术领域，尤其涉及一种半导体表面处理方法。

背景技术

通常半导体表面金属化由喷涂的电镀工序完成，喷涂电镀工序使半导体材料易于焊锡，但是，如果半导体的厚度在1mm以下，进行电镀前的喷镍工序时，在高温高压的镍流作用下，半导体晶片极易碎裂，同时，电镀产生的废液排放也会对环境造成严重污染，为了实现行业的可持续发展，亟需对现有的半导体表面处理工艺进行改进。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种半导体表面处理方法，能够有效防止半导体晶片损坏，提高成品率，并且避免电镀过程中产生的废液排放对环境造成严重污染。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种半导体表面处理方法，包括：

对半导体表面进行预清洗；

将预清洗后的半导体放置于浓度为5％的硫酸溶液中清洗5min；

将酸洗后的半导体放置于温度为50℃～60℃的去离子水中漂洗20min～30min，并烘干；

将烘干后的半导体放入真空溅射炉中，采用溅射方式在半导体衬底的表面镀上铝，并在温度为350℃、氮气流量为8.5L/min的条件下进行硅铝合金处理，相应形成第一合金层；

抽真空至真空溅射炉的真空度为9Pa～10^-1Pa，采用50％～60％的电流对半导体进行离子轰击清洗，离子轰击清洗完成后抽真空至真空溅射炉的真空度为5*10^-2Pa～5*10^-3Pa，通入氩气，启动镍靶溅射45min～50min完成镀镍，镀镍完成后启动锡靶溅射20min～25min完成镀锡，相应形成第二合金层；其中，镀镍功率为9kW～10kW，离子轰击电流为20A～25A；镀锡功率为5kW～6.5kW，离子轰击电流为8A～10A；

采用溅射方式在第二合金层的表面镀上金，相应形成导电层。

进一步地，所述第一合金层的厚度为35nm～40nm。

进一步地，所述第二合金层的厚度为5nm。

进一步地，所述导电层的厚度为2nm～3nm。