[发明专利]一种晶圆表面加工的方法在审
| 申请号： | 202010765288.7 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN114068298A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 龙命潮 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B24B19/22 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 加工 方法 | ||
1.一种晶圆表面加工的方法，其特征在于，包括：
采用第一目数的砂轮对晶圆的表面进行粗磨，粗磨的深度为预设的第一深度；
采用第二目数的砂轮对所述晶圆的表面进行精磨，精磨的深度为预设的第二深度；所述第二深度小于所述第一深度，所述第二目数大于第一目数；
用腐蚀液对所述晶圆的表面进行刻蚀，刻蚀的深度为预设的第三深度；所述第三深度小于所述第二深度；所述腐蚀液包括由硝酸、氢氟酸和冰乙酸组成的混酸液。
2.根据权利要求1所述的晶圆表面加工的方法，其特征在于，所述混酸液中的硝酸、氢氟酸和冰乙酸的体积比为6：3：1。
3.根据权利要求1所述的晶圆表面加工的方法，其特征在于，所述腐蚀液还包括氧化剂、络合剂、表面活性剂和去离子水，所述腐蚀液中各组分的质量百分比分别为：混酸液25％，氧化剂10％，络合剂5～6％，表面活性剂2％，去离子水57～58％。
4.根据权利要求1所述的晶圆表面加工的方法，其特征在于，所述采用第一目数的砂轮对晶圆的表面进行粗磨，具体为：
采用第一目数的砂轮以向下进给速率80-100μm/s且砂轮转速为4000rpm的磨削方式，对晶圆的表面进行粗磨。
5.根据权利要求1所述的晶圆表面加工的方法，其特征在于，所述采用第二目数的砂轮对所述晶圆的表面进行精磨，具体为：
采用第二目数的砂轮以向下进给速率10-20μm/s且砂轮转速为5000rpm的磨削方式，对所述晶圆的表面进行精磨。
6.根据权利要求1所述的晶圆表面加工的方法，其特征在于，所述第一目数为800目，所述第二目数为1200目。
7.根据权利要求1所述的晶圆表面加工的方法，其特征在于，所述腐蚀液的温度为0～-10℃。
8.根据权利要求1所述的晶圆表面加工的方法，其特征在于，用腐蚀液对所述晶圆的表面进行刻蚀的时间为3-5min。
9.根据权利要求1-8任一项所述的晶圆表面加工的方法，其特征在于，所述第一深度为2mm，所述第二深度为450-500um，所述第三深度为100-500nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
