[发明专利]一种晶圆表面加工的方法

说明书

本发明公开了一种晶圆表面加工的方法，其包括：采用第一目数的砂轮对晶圆的表面进行粗磨，粗磨的深度为预设的第一深度；采用第二目数的砂轮对所述晶圆的表面进行精磨，精磨的深度为预设的第二深度；所述第二深度小于所述第一深度，所述第二目数大于第一目数；用腐蚀液对所述晶圆的表面进行刻蚀，刻蚀的深度为预设的第三深度；所述第三深度小于所述第二深度；所述腐蚀液包括由硝酸、氢氟酸和冰乙酸组成的混酸液。本发明能够在保证晶圆表面光洁度的前提下，用少量的腐蚀液即可对半导体晶圆的表面进行快速刻蚀，能够有效减少晶圆表面加工过程中化学试剂的消耗，并且大大减少晶圆表面加工的作业时间，从而能够大大降低对晶圆表面加工的成本。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆表面加工的方法。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片。随着半导体芯片不断向高密度、高性能、小型化和轻薄化发展，晶圆表面加工的工艺就显得愈加重要。目前，主要是采用湿法蚀刻工艺来对晶圆表面进行加工，从而使晶圆表面达到一定要求的沟槽深度。但由于湿法蚀刻工艺流程需要显影液、定影液以及大量的酸试剂腐蚀硅片，因此，仅采用湿法蚀刻工艺来对晶圆表面进行加工，需要使用大量的化学试剂，会对环境造成污染，而且生产周期较长，会导致生产成本加大，效率低下。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的在于提供一种晶圆表面加工的方法，能够有效减少晶圆表面加工过程中化学试剂的消耗，并且大大减少晶圆表面加工的作业时间，从而能够大大降低对晶圆表面加工的成本，并提高晶圆表面加工效率。

为了实现上述目的，本发明一实施例提供了一种晶圆表面加工的方法，其包括：

采用第一目数的砂轮对晶圆的表面进行粗磨，粗磨的深度为预设的第一深度；

采用第二目数的砂轮对所述晶圆的表面进行精磨，精磨的深度为预设的第二深度；所述第二深度小于所述第一深度，所述第二目数大于第一目数；

用腐蚀液对所述晶圆的表面进行刻蚀，刻蚀的深度为预设的第三深度；所述第三深度小于所述第二深度；所述腐蚀液包括由硝酸、氢氟酸和冰乙酸组成的混酸液。

作为上述方案的改进，所述混酸液中的硝酸、氢氟酸和冰乙酸的体积比为6：3：1。

作为上述方案的改进，所述腐蚀液还包括氧化剂、络合剂、表面活性剂和去离子水，所述腐蚀液中各组分的质量百分比分别为：混酸液25％，氧化剂10％，络合剂5～6％，表面活性剂2％，去离子水57～58％。

作为上述方案的改进，所述采用第一目数的砂轮对晶圆的表面进行粗磨，具体为：

采用第一目数的砂轮以向下进给速率80-100μm/s且砂轮转速为4000rpm的磨削方式，对晶圆的表面进行粗磨。

作为上述方案的改进，所述采用第二目数的砂轮对所述晶圆的表面进行精磨，具体为：

采用第二目数的砂轮以向下进给速率10-20μm/s且砂轮转速为5000rpm的磨削方式，对所述晶圆的表面进行精磨。

作为上述方案的改进，所述第一目数为800目，所述第二目数为1200目。

作为上述方案的改进，所述腐蚀液的温度为0～-10℃。

作为上述方案的改进，用腐蚀液对所述晶圆的表面进行刻蚀的时间为3-5min。

作为上述方案的改进，所述第一深度为2mm，所述第二深度为450-500um，所述第三深度为100-500nm。