[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

半导体衬底；

控制电路，配置在所述半导体衬底上；

存储单元阵列，配置在所述控制电路的上方，且具有呈三维配置的多个存储单元，由所述控制电路所控制；

第1氮化物层，配置在所述控制电路与所述存储单元阵列之间；以及

第2氮化物层，配置在所述控制电路与所述第1氮化物层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化物层的氢含量小于所述第1氮化物层的氢含量。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化物层的密度小于所述第1氮化物层的密度。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第2氮化物层的蚀刻速率大于所述第1氮化物层的蚀刻速率。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述存储单元阵列具备：

多个第1导电层，积层在第1方向；

柱，在所述多个第1导电层内沿所述第1方向延伸，且包含半导体层；以及

第2导电层，配置在所述多个第1导电层中的最下层的下方，且与所述半导体层相接。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，还具备导电体，所述导电体沿所述第1方向在所述第2氮化物层、所述第1氮化物层、及所述多个第1导电层内延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述控制电路包含MOS晶体管，所述MOS晶体管具有包含硼的多晶硅。