[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括相对的第一面和第二面，所述衬底包括第一区和第二区，所述衬底第一面上具有第一隔离层；

位于衬底第一区内的第一连接层，所述第一连接层从衬底第一面向第二面延伸，且部分所述第一连接层位于所述第一隔离层内；

位于第一连接层与衬底之间的第一绝缘层；

位于衬底第一区内的第一开口，所述第一开口从衬底第二面向衬底第一面延伸并暴露出部分所述第一隔离层的表面，所述第一开口暴露出所述第一连接层表面的第一绝缘层；

位于第一开口侧壁表面的第二绝缘层；

位于第一开口内的第二连接层，所述第二连接层与所述第一连接层电连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二绝缘层暴露出所述第一连接层朝向衬底第二面的底部表面和侧壁表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一开口底部还延伸到所述第二区内。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二绝缘层还位于所述第一连接层侧壁表面。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一连接层朝向衬底第二面的底部具有第一尺寸，所述第一开口的底部具有第二尺寸，所述第二尺寸大于所述第一尺寸。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二尺寸为所述第一尺寸的1.2倍～6倍。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二绝缘层的材料包括绝缘材料，所述绝缘材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一种或多种的组合。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于衬底第二面表面的第三绝缘层。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第三绝缘层的材料包括绝缘材料，所述绝缘材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一种或多种的组合。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底第一面上还具有：第二隔离层、位于第二隔离层内的有源器件以及位于第一隔离层内和第二隔离层内的互连结构，所述互连结构与第一连接层电连接；所述第二隔离层位于第一隔离层上，所述有源器件位于第二区上。

11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述有源器件包括：若干鳍部结构，所述第一隔离层位于所述鳍部结构部分侧壁，且所述第一隔离层顶部表面低于所述鳍部结构顶部表面；若干栅极结构，所述栅极结构位于第一隔离层上且横跨所述鳍部结构；源漏掺杂区，所述源漏掺杂区位于栅极结构两侧的鳍部结构内，所述栅极结构、源漏掺杂区和部分鳍部结构位于第二隔离层内；所述互连结构与栅极结构或源漏掺杂区电连接。

12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和位于栅介质层上的栅极层。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构还包括功函数结构，所述功函数结构位于栅介质层和栅极层之间。

14.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区第一面至衬底第二面的距离小于所述第二区第一面至衬底第二面的距离。