[发明专利]一种通过霍尔效应分析陶瓷内部缺陷的方法

权利要求书

1.一种通过霍尔效应分析陶瓷内部非本征缺陷的方法，其特征在于，霍尔效应分析陶瓷内部缺陷的方法：

（1）将上述准备的陶瓷圆片用酒精清理干净，并在鼓风烘箱中在60℃-90℃下烘干1小时；

（2）在陶瓷圆片一面边缘均匀对称的涂上四个直径在2-4 mm的银浆电极，在马弗炉中设置600℃保温0.5-1.5小时将电极烧在陶瓷表面；

（3）将上述制备好银电极的陶瓷片固定在霍尔效应测试时的样品台上，样品台探针需与样品点电极紧密接触不松动；

（4）将样品台固定好后，通入不同的磁场强度，此时得到不同磁场下（±0.5T，±0.4T，±0.3T，±0.2T， ±0.1T， 0T）的电压，缺陷类型，电阻等数值。

2.按权利要求1中所述的霍尔效应分析陶瓷内部缺陷的方法，其特征在于，步骤（1）中，所述清洗样品的药品为酒精，烘干温度在60℃-90℃下，时间为1小时。

3.按权利要求1中所述的霍尔效应分析陶瓷内部缺陷的方法，其特征在于，步骤（2）中，所述的银浆电极尺寸为2-4 mm，电极需要4个并且两两对称排布，电极涂覆后，烧电极的温度为600℃，时间为0.5-1.5小时。

4.按权利要求1中所述的霍尔效应分析陶瓷内部缺陷的方法，其特征在于，步骤（4）中，所述的不同磁场为±0.5T， ±0.4T，±0.3T，±0.2T， ±0.1T， 0T。