[发明专利]氧化修整

权利要求书

1.一种用于氧化修整的方法，所述方法包括：

形成半导体结构的支撑结构，所述半导体结构具有：

位于工作材料上的第一硅酸盐材料；

位于所述第一硅酸盐材料(103)上的第一氮化物材料；

位于所述第一氮化物材料上的第二硅酸盐材料；以及

位于所述第二硅酸盐材料上的第二氮化物材料；

穿过所述半导体结构形成开口；

在所述开口内沉积电极材料；

去除所述支撑结构的部分；以及

对所述电极材料的上部部分执行受控氧化修整。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在225℃与450℃之间的温度范围下执行所述受控氧化修整。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括在2到300秒之间的范围内执行所述受控氧化修整。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括通过将所述半导体结构暴露于具有氧气的气氛和大于80托的压力来执行所述受控氧化修整。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括使用臭氧在压力下执行所述受控氧化修整。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括通过基于等离子体的化学反应执行所述受控氧化修整。

7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括执行所述基于等离子体的化学反应，持续1到10秒之间的时间范围。

8.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括在所述受控氧化修整期间，将所述电极材料的所述上部部分转化成氧化钛TiO和氮氧化钛TiO_xN_y之一。

9.一种用于氧化修整的设备，所述设备包括：

高纵横比半导体结构，所述高纵横比半导体结构具有：

位于工作材料上的第一硅酸盐材料；

位于所述第一硅酸盐材料(103)上的第一氮化物材料；

位于所述第一氮化物材料上的第二硅酸盐材料；以及

位于所述第二硅酸盐材料上的第二氮化物材料；

穿过所述半导体结构形成的开口；以及

形成于所述开口内的电极材料，且所述电极材料的上部部分是使用受控氧化修整来减小的。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述电极材料的所述上部部分的侧面减小5到20埃之间的范围。

11.根据权利要求9所述的设备，其中所述电极材料的所述上部部分构成所述电极材料的百分之五十。

12.根据权利要求9所述的设备，其中所述电极材料由氮化钛TiN材料、硅掺杂氮化钛TiSiN材料和铝掺杂氮化钛TiAlN材料之一形成。

13.根据权利要求9所述的设备，其中湿法蚀刻被用于去除所述电极材料的经氧化部分。

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述湿法蚀刻由稀释的氢氟酸混合物形成。

15.根据权利要求13所述的设备，其中所述湿法蚀刻具有10到1000份水比1份氢氟酸的稀释混合物。

16.根据权利要求9所述的设备，其中蒸汽蚀刻被用于去除所述电极材料的经氧化部分。

17.根据权利要求9所述的设备，其中干法蚀刻被用于去除所述电极材料的经氧化部分。

18.根据权利要求9所述的设备，其中所述第二硅酸盐材料具有2500埃到4500埃之间的高度。