[发明专利]氧化修整

说明书

本申请涉及氧化修整。描述了涉及使用氧气来修整半导体结构的方法、设备和系统。一种示例方法包含形成半导体结构的支撑结构，所述支撑结构具有工作表面上的第一硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第一硅酸盐材料上形成第一氮化物材料。所述方法进一步包含在所述第一氮化物材料上形成第二硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第二硅酸盐材料上形成第二氮化物材料。所述方法进一步包含穿过所述半导体结构形成开口。所述方法进一步包含在所述开口内沉积电极材料。所述方法进一步包含去除所述支撑结构的部分。所述方法进一步包含对所述电极材料的上部部分执行受控氧化修整。

技术领域

本公开总体上涉及半导体装置和方法，并且更具体地涉及氧化修整。

背景技术

存储器装置通常以内部半导体集成电路的形式设置于计算机或其它电子装置中。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)和闪速存储器，等等。一些类型的存储器装置可以是非易失性存储器(例如，ReRAM)，并且可以用于需要高存储密度、高可靠性和低电力消耗的各种电子应用。与在没有电力的情况下保留其所存储状态的非易失性存储器单元(例如，闪速存储器单元)相反，易失性存储器单元(例如，DRAM单元)需要电力来(例如，通过刷新过程)保留其所存储数据状态。然而，与各种非易失性存储器单元，如闪速存储器单元相比，各种易失性存储器单元，如DRAM单元可以更快地操作(例如，编程、读取、擦除等)。

发明内容

本公开的一个实施例涉及一种用于氧化修整的方法，所述方法包括：形成半导体结构的支撑结构，所述半导体结构具有位于工作材料上的第一硅酸盐材料、位于所述第一硅酸盐材料上的第一氮化物材料、位于所述第一氮化物材料上的第二硅酸盐材料以及位于所述第二硅酸盐材料上的第二氮化物材料；穿过所述半导体结构形成开口；在所述开口内沉积电极材料；去除所述支撑结构的部分；以及对所述电极材料的上部部分执行受控氧化修整。

本公开的另一个实施例涉及一种用于氧化修整的设备，所述设备包括：高纵横比半导体结构，所述高纵横比半导体结构具有位于工作材料上的第一硅酸盐材料、位于所述第一硅酸盐材料上的第一氮化物材料、位于所述第一氮化物材料上的第二硅酸盐材料以及位于所述第二硅酸盐材料上的第二氮化物材料；穿过所述半导体结构形成的开口；以及形成于所述开口内的电极材料，其中所述电极材料的上部部分是使用受控氧化修整来减小的。

本公开的仍另一个实施例涉及一种用于氧化修整的设备，所述设备包括：高纵横比半导体结构，所述高纵横比半导体结构具有位于工作材料上的硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)材料、位于所述BPSG材料上的第一氮化物材料、位于所述第一氮化物材料上的原硅酸四乙酯(TEOS)材料以及位于所述TEOS材料上的第二氮化物材料；穿过所述半导体结构形成的开口；以及形成于所述开口内的底部电极材料，其中所述底部电极材料的上部部分是使用受控氧化修整来减小的。

附图说明

图1-6展示了根据本公开的多个实例的与用于使用氧气来修整半导体结构的半导体制造顺序相关联的存储器装置的半导体结构的一部分的横截面视图。

图7是根据本公开的多个实施例的用于实施示例半导体制造工艺的系统的功能框图。

图8展示了根据本公开的多个实例的包含存储器系统的半导体结构的示例计算系统的功能框图。

图9展示了根据本公开的多个实施例的可以耦接到具有电极的存储节点的存取装置的横截面视图。

具体实施方式