[发明专利]一种LED引线框架电镀工艺

权利要求书

1.一种LED引线框架电镀工艺，其特征在于，包括以下步骤：

⑴表面预处理

引线框架浸入电解溶液除油后用自来水清洗后吹干，而后放入氨基磺酸活化溶液中浸泡处理，再用自来水清洗，接着用去离子水清洗后吹干；

⑵镀铜处理

将表面预处理过的引线框架放入预镀铜溶液中全浸预镀铜，而后用去离子水清洗后吹干，再将引线框架的功能区浸入铜镀液中局部镀铜，接着用去离子水清洗后吹干；

⑶镀镍处理

将局部镀铜处理后的引线框架放入预镀镍溶液中全浸预镀镍，而后用去离子水清洗后吹干，再将引线框架的功能区浸入镍镀液中局部镀，接着用去离子水清洗后吹干，然后将引线框架的功能区浸入镍铜合金镀液中局部镀镍铜合金，再用去离子水清洗后吹干；

⑷镀银处理

镀预镀银：将引线框架放入预镀银溶液中全浸预镀银，而后用去离子水清洗后吹干，再将引线框架的功能区放入银镀液中局部镀银，接着用去离子水清洗后吹干；

⑸过银保护

取局部镀银处理后的引线框架放入银保护药水中浸泡处理，而后用去离子水清洗后吹干。

2.根据权利要求1所述的LED引线框架电镀工艺，其特征在于：电解液除油时，采用的电解溶液含碱性除油粉95～105g/L，电流密度10～20A/dm²，电解溶液的温度为55～65℃。

3.根据权利要求1所述的LED引线框架电镀工艺，其特征在于：所述的预镀铜溶液含氰化亚铜20～30g/L，氰化钠35～40g/L，电流密度为10～20A/dm²，预镀铜溶液的温度为室温；所述的铜镀液含氰化亚铜80～120g/L，氰化钠20～35g/L，电流密度为10～20A/dm²，铜镀液的温度为55～65℃。

4.根据权利要求1所述的LED引线框架电镀工艺，其特征在于：所述的预镀镍溶液含有氨基磺酸镍2～5g/L，硼酸10～12g/L，电流密度为5～10A/dm²，预镀镍溶液的温度为室温；所述的镍镀液含有氨基磺酸镍55～70g/L，氯化镍5～7g/L，硼酸35～45g/L，柠檬酸三钠45～55g/L，电流密度为5～10A/dm²，镍镀液温度为50～60℃。

5.根据权利要求1所述的LED引线框架电镀工艺，其特征在于：所述的镍铜合金镀液含有硫酸镍30～50g/L，硫酸铜30～40g/L，柠檬酸三钠35～65g/L，氯化钠5～10g/L，硼酸30～40g/L，电流密度为5～15A/dm²，镍铜合金镀液温度为50～60℃。

6.根据权利要求1所述的LED引线框架电镀工艺，其特征在于：所述的预镀银溶液含有氰化银钾3～5g/L，氰化钾10～15g/L，光亮剂0.2～1g/L，电流密度为3～8A/dm²，预镀银溶液温度为室温。

7.根据权利要求1所述的LED引线框架电镀工艺，其特征在于：所述的银镀液含有硝酸银30～50g/L，柠檬酸钾10～30g/L，醋酸铵15～25g/L，四硼酸钾5～10g/L，硫脲2～5g/L，光亮剂0.2～1g/L，电流密度为3～8A/dm²，预镀银溶液温度为50～60℃。

8.根据权利要求1所述的LED引线框架电镀工艺，其特征在于：所述的银保护药水浓度为5～10ml/L，处理10～20s。