[发明专利]一种实现多功能复合透明导电薄膜的方法及应用在审
| 申请号： | 202010773063.6 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN112071503A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 陈新亮;李跃龙;刘璋;侯国付;赵颖;张晓丹 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00 |
| 代理公司： | 天津耀达律师事务所 12223 | 代理人： | 张耀 |
| 地址： | 300350 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 多功能 复合 透明 导电 薄膜 方法 应用 | ||
1.一种实现多功能复合透明导电薄膜的方法，其特征是：利用真空镀膜技术生长氧化物薄膜，而磁控溅射技术生长超薄金属薄膜，并通过有机聚合物PS微球模板技术辅助或光刻技术构建金属网格结构，从而实现多功能复合薄膜Glass/Oxide-B/Metal-Mesh/Oxide-T，其中金属(Metal)层为网格(Mesh)结构。
2.根据权利要求1所述的多功能复合透明导电薄膜的方法，其特征是：所述的真空镀膜技术包括且不限于反应等离子沉积RPD技术、磁控溅射技术、热蒸发技术、原子层沉积ALD技术。
3.根据权利要求1所述的多功能复合透明导电薄膜的方法，其特征是：通过PS微球模板技术辅助或光刻技术构建金属网格结构，多功能复合薄膜Glass/Oxide-B/Metal-Mesh/Oxide-T，其中金属(Metal)层为网格(Mesh)结构。
4.根据权利要求1所述的多功能复合透明导电薄膜的方法，其特征是：金属网格层材料设计为Au、Ag、Cu或Al，特征尺寸范围为0.5-30μm。
5.根据权利要求1所述的多功能复合透明导电薄膜的方法，其特征是：底氧化物层(Oxide-B)设计为ZnO、TiOx、SnOx、In2O3、Cd2SnO4、Ga2O3、MoOx、NiOx、WO3、TaOx、V2Ox或Cu2O薄膜，氧化层厚度～5-100nm。
6.根据权利要求1所述的多功能复合透明导电薄膜的方法，其特征是：顶氧化物层(Oxide-T)设计为ZnO、TiOx、SnOx、In2O3、Cd2SnO4、Ga2O3、MoOx、NiOx、WO3、TaOx、V2Ox、Cu2O薄膜，氧化层厚度～5-100nm。
7.权利要求1-6任一项方法所得多功能复合透明导电薄膜的应用，其特征是：将多功能复合薄膜Glass/Oxide-B/Metal-Mesh/Oxide-T应用于薄膜太阳电池。
8.权利要求1-6任一项方法所得多功能复合透明导电薄膜的应用，其特征是：将多功能复合薄膜Glass/Oxide-B/Metal-Mesh/Oxide-T应用于晶硅异质结太阳电池。
9.权利要求1-6任一项方法所得多功能复合透明导电薄膜的应用，其特征是：将多功能复合薄膜Glass/Oxide-B/Metal-Mesh/Oxide-T应用于发光二极管和光电探测器。
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