[发明专利]集成电路封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路封装体，其包括：

芯片，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面设置有第一金属层；

围绕所述芯片的多个引脚；

引线，其经配置以将所述芯片连接至所述引脚；及

封装壳体，其包覆所述芯片、所述引脚和所述引线，

其中所述封装壳体的底面与所述第一金属层的底面及所述多个引脚的底面实质上在同一平面上。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装体，其中所述第一金属层的材料选自锡、不锈钢、铜、银、金或钛。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装体，所述第一金属层的材料可包括树脂。

4.一种集成电路封装体的制造方法，其包括：

提供胶膜，所述胶膜设置有多个引脚；

将芯片设置于所述胶膜上，所述芯片具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第二表面设置于所述胶膜上；及

移除所述胶膜。

5.根据权利要求4所述的集成电路封装体的制造方法，进一步包括在将所述芯片设置于所述胶膜上的步骤之前，将第一金属层设置于所述芯片的所述第二表面。

6.根据权利要求4或5所述的集成电路封装体的制造方法，进一步包括研磨所述引脚的底面和所述芯片的所述第二表面以减小所述引脚和所述芯片的厚度。

7.根据权利要求5所述的集成电路封装体的制造方法，其中所述第一金属层的材料选自锡、不锈钢、铜、银、金或钛。

8.根据权利要求5所述的集成电路封装体的制造方法，所述第一金属层的材料可包括树脂。

9.根据权利要求4所述的集成电路封装体的制造方法，进一步包括在移除所述胶膜的步骤后，在所述引脚的底面设置第二金属层。

10.根据权利要求9所述的集成电路封装体的制造方法，所述第二金属层的材料选自锡、不锈钢、铜、银、金或钛。

11.根据权利要求4所述的集成电路封装体的制造方法，进一步包括在移除所述胶膜的步骤后，在所述第二表面设置第三金属层。

12.根据权利要求11所述的集成电路封装体的制造方法，所述第三金属层的材料选自锡、不锈钢、铜、银、金或钛。

13.根据权利要求11所述的集成电路封装体的制造方法，采用溅射工艺或喷涂工艺设置所述第三金属层。

14.根据权利要求4所述的集成电路封装体的制造方法，进一步包括在移除所述胶膜之前，注塑封装壳体，以使得所述封装壳体包覆所述芯片和所述引脚。

15.根据权利要求4所述的集成电路封装体的制造方法，所述胶膜包括粘结剂层，及位于所述粘结剂层两侧的聚酰亚胺薄膜(PIFilm)和释放聚酯薄膜(Release PET Film)。