[发明专利]集成电路封装体及其制造方法

说明书

本申请实施例是关于集成电路封装体及其制造方法。根据本申请一实施例的集成电路封装体包括芯片、围绕芯片的多个引脚、引线和封装壳体。芯片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，第二表面设置有第一金属层。引线经配置以将芯片连接至引脚。封装壳体包覆芯片、引脚和引线，其中封装壳体的底面与第一金属层的底面及多个引脚的底面实质上在同一平面上。本申请实施例提供的集成电路封装体及其制造方法可以简单的制程和工艺获得厚度更小且散热性能更好的集成电路封装体。

技术领域

本申请实施例涉及半导体封装领域，特别是涉及集成电路封装体及其制造方法。

背景技术

因应电子产品小型化的趋势，集成电路封装体的尺寸也变的越来越小。传统的导线框架由芯片焊盘和引脚组成，芯片通常设置于芯片焊盘上。为提高集成电路封装体的散热性能，现有技术采用在芯片焊盘的背面设置散热片，以为芯片或晶片提供散热的技术方案。然而，该外加散热片的技术方案将导致集成电路封装体的厚度增大，因而无法满足集成电路封装体的尺寸越来越小的市场要求。

因此，对于如何获得厚度更小同时具有良好散热性能的集成电路封装体，成为业内亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请实施例的目的之一在于提供集成电路封装体及其制造方法，其可以简单的制程和工艺获得厚度更小同时具有良好散热性能的集成电路封装体。

本申请的一实施例提供了一集成电路封装体，其包括：芯片、围绕该芯片的多个引脚、引线和封装壳体。芯片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，该第二表面设置有第一金属层。引线经配置以将芯片连接至引脚。封装壳体包覆芯片、引脚和引线，其中封装壳体的底面与第一金属层的底面及多个引脚的底面实质上在同一平面上。

在本申请的另一实施例中，第一金属层的材料选自锡、不锈钢、铜、银、金或钛。在本申请的又一实施例中，第一金属层的材料可包括树脂。

本申请的又一实施例提供了一集成电路封装体的制造方法，其包括：提供胶膜，该胶膜设置有多个引脚；将芯片设置于胶膜上，该芯片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，其中第二表面设置于胶膜上；及移除胶膜。

在本申请的另一实施例中，进一步包括在将芯片设置于胶膜上的步骤之前，将第一金属层设置于芯片的第二表面。在本申请的又一实施例中，进一步包括研磨引脚的底面和芯片的第二表面以减小引脚和芯片的厚度。在本申请的另一实施例中，第一金属层的材料选自锡、不锈钢、铜、银、金或钛。在本申请的又一实施例中，第一金属层的材料可包括树脂。本申请的另一实施例中，进一步包括在移除胶膜的步骤后，在引脚的底面设置第二金属层。在本申请的又一实施例中，第二金属层的材料选自锡、不锈钢、铜、银、金或钛。本申请的另一实施例中，进一步包括在移除胶膜的步骤后，在第二表面设置第三金属层。在本申请的又一实施例中，第三金属层的材料选自锡、不锈钢、铜、银、金或钛。本申请的另一实施例中，采用溅射工艺或喷涂工艺设置第三金属层。在本申请的又一实施例中，进一步包括在移除胶膜之前，注塑封装壳体，以使得封装壳体包覆芯片和引脚。本申请的另一实施例中，胶膜包括粘结剂层，及位于粘结剂层两侧的聚酰亚胺薄膜(PI Fi lm)和释放聚酯薄膜(ReleasePET Film)。

本申请实施例提供的集成电路封装体及其制造方法可以获得厚度更小的集成电路封装体，以满足电子产品小型化的需要，同时具有良好的散热性能。此外，本申请实施例提供的集成电路封装体及其制造方法还具有制造工艺简单及生产效率高等优点。

附图说明

图1是根据本申请实施例一实施例的集成电路封装体的纵向剖面示意图；

图2a-2e是根据本申请一实施例制造集成电路封装体的流程示意图，其可制造图1所示的集成电路封装体；

图3a-3f是根据本申请另一实施例制造集成电路封装体的流程示意图。

具体实施方式