[发明专利]一种具有表面界面调控作用的多级次Cu膜及其制备方法

权利要求书

1.一种具有表面界面调控作用的多级次Cu膜的制备方法，其特征在于，所述Cu膜的表面接触角为6度-152度，所述制备方法包括如下步骤：

(1)在衬底上制备一层超薄铜膜；

(2)对步骤(1)所述超薄铜膜进行退火处理；

(3)对步骤(2)退火处理后的超薄铜膜表面再沉积一层铜膜，即得所述具有表面界面调控作用的多级次Cu膜；

步骤(1)中，所述超薄铜膜的厚度为10-50nm；

步骤(2)中，所述退火处理具体为：在100-400℃、0.5-3Pa条件下进行退火处理10-30min。

2.根据权利要求1所述的具有表面界面调控作用的多级次Cu膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述超薄铜膜为无序纳米颗粒薄膜或有序纳米颗粒薄膜。

3.根据权利要求1所述的具有表面界面调控作用的多级次Cu膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述衬底为硅、石英、氮化铝、氧化铝中的任意一种或几种的混合物。

4.根据权利要求1所述的具有表面界面调控作用的多级次Cu膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述铜膜的厚度为100nm–30μm。

5.根据权利要求1所述的具有表面界面调控作用的多级次Cu膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述超薄铜膜的制备采用磁控溅射工艺、真空蒸镀工艺、旋转涂膜工艺中的任意一种，步骤(3)中所述铜膜的沉积采用磁控溅射工艺。

6.根据权利要求1-5任一项所述方法制得的具有表面界面调控作用的多级次Cu膜。

7.根据权利要求6所述的具有表面界面调控作用的多级次Cu膜，其特征在于，所述Cu膜为多级次微纳复合结构，所述多级次微纳复合结构为纳米团簇与纳米颗粒的复合、纳米颗粒与纳米孔洞结构的复合或纳米团簇与纳米线的复合。