[发明专利]一种具有表面界面调控作用的多级次Cu膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010776036.4 申请日: 2020-08-05
公开(公告)号: CN111926299B 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 曹丽莉;缪旻;高洪利 申请(专利权)人: 北京信息科技大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/18;C23C14/16;C23C14/58
代理公司: 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 代理人: 刘静培
地址: 100089 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 具有 表面 界面 调控 作用 多级 cu 及其 制备 方法
【说明书】:

发明涉及一种具有表面界面调控作用的多级次Cu膜及其制备方法,通过先在衬底上沉积上一层超薄铜膜,再在控制条件下对超薄铜膜进行退火处理,最后在退火处理后的超薄铜膜表面再沉积一层铜膜,最终制得具有表面界面调控作用的多级次Cu膜;本发明所述多级次Cu膜的微纳复合结构的表面积和极性发生变化,导致表面对非极性气体或水蒸气的吸附特性发生转变,所述Cu膜可实现不采用表面修饰材料的情况下由超亲水到超疏水表面的可控调节,表面接触角在6度到152度之间转换;本发明所述多级次微纳复合结构为纳米团簇与纳米颗粒的复合、纳米颗粒与纳米孔洞或纳米团簇与纳米线的复合,在基本不改变材料的电学和热学性能的情况下,实现材料表面能的调控。

技术领域

本发明属于薄膜材料制备技术与表面界面调控技术领域,具体涉及一种具有表面界面调控作用的多级次Cu膜及其制备方法。

背景技术

对于高效的微小型器件来说,不仅高性能的功能材料和高导电及导热性的电极材料对其性能至关重要,其金属电极材料与功能材料的界面接触问题也已经成为微纳器件中的关键问题。随着新型材料和器件制备及功能等方面创新的飞速发展,金属薄膜材料不再仅仅是电和热的传播介质,还是多种器件的功能层,如锂离子电池中的电极,忆阻器中的电极等。金属材料与其他功能薄膜的接触界面也直接影响器件的性能。随着器件微型化和薄膜化的发展趋势,界面问题更加突出,现有的复杂的表面处理技术以及重掺杂技术已经不能满足高性能器件的低成本、高产值需求。

从晶体生长的角度来说,基底材料的表面能则直接影响上层膜材料的成核、生长和结构调控,这是因为基底的表面自由能大于界面自由能与膜材料表面自由能之和,膜才能在基底上铺展并以层状形式生长,否则,薄膜会以岛状模式生长,甚至不生长。评价固体材料表面能的最直观的方法是表面浸润性测试。浸润性是固体表面的重要特征之一,它是由表面的化学组成和微观几何结构共同决定的。对于特定金属薄膜材料来说,材料的表面化学组成基本确定,微观几何结构则直接影响材料的表面能。

表面的接触角接近于0度时,为超亲水表面。所谓超疏水表面一般是指与水的接触角大于150度的表面。表面的浸润性在工农业和人们的日常生活中都有着极其广阔的应用前景,例如,它可以用来防雪、防污染、抗氧化以及防止电流传导等。一般来说,超疏水性表面可以通过两种方法来制备,一种是在疏水材料表面构建粗糙结构;另一种是在粗糙表面上修饰低表面能的物质。目前,许多制备粗糙表面的方法已有报道,例如,熔融烷基正乙烯酮二聚体的固化;聚四氟乙烯存在时聚丙烯的等离子体聚合或刻蚀;微波等离子体增强化学气相沉积法;阳极氧化法,即将多孔氧化铝凝胶浸入沸水中;将升华材料与硅石或铝石混合;相分离法以及模板法等;为了有效地得到超疏水表面,用低表面能物质,如氟硅烷,对表面进行修饰是很有必要的。但是,目前针对金属材料的表面能调控一般采用低表面能物质对表面进行修饰,该方法往往不适用于界面调控,在微电子器件中通过引入低表面物质的方式调节金属薄膜的表面能,往往会对界面的接触性能产生巨大的副作用。

发明内容

为了解决现有技术存在的上述问题,本发明提供了一种具有表面界面调控作用的多级次Cu膜及其制备方法。本发明所述铜膜,可实现不采用表面修饰材料的情况下由超亲水到超疏水表面的可控调节,表面接触角在6度到152度之间转换。本发明通过铜膜表面多级次设计,在基本不改变材料的电学和热学性能的情况下,实现材料表面能的调控。

本发明所采用的技术方案为:

一种具有表面界面调控作用的Cu膜的制备方法,包括如下步骤:

(1)在衬底上制备一层超薄铜膜;

(2)对步骤(1)所述超薄铜膜进行退火处理;

(3)对步骤(2)退火处理后的超薄铜膜表面再沉积一层铜膜,即得所述具有表面界面调控作用的多级次Cu膜。

步骤(1)中,所述超薄铜膜的厚度为10–50nm。

步骤(1)中,所述超薄铜膜为无序纳米颗粒薄膜或有序纳米颗粒薄膜。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京信息科技大学,未经北京信息科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010776036.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top