[发明专利]电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电子器件，所述电子器件包括半导体存储器，所述半导体存储器包括：

可变电阻层和绝缘层，所述可变电阻层和所述绝缘层交替地层叠；

导电柱，所述导电柱穿过所述可变电阻层和所述绝缘层；

狭缝绝缘层，所述狭缝绝缘层穿过所述绝缘层，并且沿第一方向延伸；和

导电层，所述导电层插置在所述狭缝绝缘层与所述可变电阻层之间，

其中，所述可变电阻层在编程操作期间保持非晶态。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，每个所述绝缘层包括突出部，所述突出部在截面图中相比于所述可变电阻层之中的对应的一个而突出，并且所述导电层与所述突出部交替地层叠。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其中，每个所述可变电阻层包围所述导电柱的侧壁，并且沿所述第一方向延伸。

4.根据权利要求1所述的电子器件，其中，每个所述可变电阻层的一部分插置在沿所述第一方向彼此相邻设置的一对导电柱之间。

5.根据权利要求1所述的电子器件，其中，每个所述可变电阻层插置在沿与所述第一方向相交的第二方向彼此相邻设置的一对所述导电层之间。

6.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述可变电阻层包括非晶硫属化物。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其中，存储单元被设置在所述导电柱与所述导电层交叉的各个区域中。

8.根据权利要求1所述的电子器件，还包括相变层，所述相变层分别插置在所述可变电阻层与所述导电层之间。

9.一种电子器件，所述电子器件包括半导体存储器，所述半导体存储器包括：

层叠的绝缘层；

第一可变电阻层，所述第一可变电阻层与所述绝缘层交替地层叠，并且各自沿第一方向延伸；

垂直位线，所述垂直位线穿过所述第一可变电阻层和所述绝缘层；

第一狭缝绝缘层，所述第一狭缝绝缘层穿过所述绝缘层，并沿所述第一方向延伸；

第二狭缝绝缘层，所述第二狭缝绝缘层穿过所述绝缘层，并沿所述第一方向延伸；

第一字线，所述第一字线各自插置在所述第一狭缝绝缘层与每个所述第一可变电阻层之间；和

第二字线，所述第二字线各自插置在所述第二狭缝绝缘层与每个所述第一可变电阻层之间，

其中，第一存储单元分别被设置在所述垂直位线与所述第一字线之间，第二存储单元分别被设置在所述垂直位线与所述第二字线之间，并且每个所述第一存储单元和每个所述第二存储单元在第二方向上相邻地设置，并且共享所述第一可变电阻层之中的对应的一个。

10.根据权利要求9所述的电子器件，其中，每个所述第一可变电阻层的一部分填充被限定在所述第一方向上彼此相邻设置的一对所述垂直位线之间的空间。

11.根据权利要求9所述的电子器件，其中，在编程操作期间，所述第一可变电阻层保持非晶态。

12.根据权利要求9所述的电子器件，还包括：第二可变电阻层，所述第二可变电阻层包括第一多个第二可变电阻层和第二多个第二可变电阻层，所述第一多个第二可变电阻层被分别插置在所述第一可变电阻层与所述第一字线之间，所述第二多个第二可变电阻层被分别插置在所述第一可变电阻层与所述第二字线之间。

13.根据权利要求12所述的电子器件，还包括电极层，所述电极层插置在所述第一可变电阻层与所述第二可变电阻层之间。

14.根据权利要求12所述的电子器件，其中，在编程操作期间，所述第一可变电阻层保持非晶态，并且所述第二可变电阻层发生相变。