[发明专利]电子器件及其制造方法

说明书

半导体存储器可以包括：交替层叠的可变电阻层和绝缘层；导电柱，其穿过可变电阻层和绝缘层；狭缝绝缘层，其穿过绝缘层并沿第一方向延伸；以及导电层，其插置在狭缝绝缘层与可变电阻层之间。在编程操作期间，所述可变电阻层可以保持非晶态。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月26日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0175654的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例总体上涉及一种电子器件，并且更具体地，涉及一种包括半导体存储器的电子器件以及该电子器件的制造方法。

背景技术

近来，随着对电子设备的小型化、低功耗、高性能和多样化的要求，在诸如计算机和便携式通信设备的各种电子设备中需要被配置为储存信息的半导体器件。因此，已经进行了关于半导体器件的研究，该半导体器件被配置为利用根据被施加的电压或电流在不同电阻相位之间进行切换的特性来储存数据。这种半导体器件的示例包括电阻式随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)以及电熔丝等等。

发明内容

本公开的各个实施例针对具有改善的操作特性和存储单元的可靠性的电子器件，以及制造该电子器件的方法。

本公开的实施例可以提供一种包括半导体存储器的电子器件。所述半导体存储器可以包括：交替层叠的可变电阻层与绝缘层；导电柱，其穿过所述可变电阻层和所述绝缘层；狭缝绝缘层，其穿过所述绝缘层，并沿第一方向延伸；以及导电层，其插置在所述狭缝绝缘层与所述可变电阻层之间。所述可变电阻层可以在编程操作期间保持非晶态。

本公开的实施例可以提供一种包括半导体存储器的电子器件。所述半导体存储器可以包括：层叠的绝缘层；第一可变电阻层，其与所述绝缘层交替地层叠，并且各自沿第一方向延伸；垂直位线，其穿过所述第一可变电阻层和所述绝缘层；第一狭缝绝缘层，其穿过所述绝缘层，并沿所述第一方向延伸；第二狭缝绝缘层，其穿过所述绝缘层，并沿所述第一方向延伸；第一字线，其各自插置在所述第一狭缝绝缘层与每个所述第一可变电阻层之间；以及第二字线，其各自插置在所述第二狭缝绝缘层与每个所述第一可变电阻层之间。第一存储单元可以分别设置在所述垂直位线与所述第一字线之间，第二存储单元可以分别设置在所述垂直位线与所述第二字线之间，并且每个所述第一存储单元和每个所述第二存储单元在第二方向上相邻地设置，并且共享所述第一可变电阻层之中的对应的一个。

本公开的实施例可以提供一种制造包括半导体存储器的电子器件的方法。所述方法可以包括：交替地形成第一可变电阻层与绝缘层；形成穿过所述第一可变电阻层和所述绝缘层的导电柱；形成穿过所述第一可变电阻层和所述绝缘层并沿第一方向延伸的狭缝；通过蚀刻经由所述狭缝暴露出的所述第一可变电阻层来形成开口；以及在各个开口中形成导电层。

附图说明

图1A和图1B是用于描述根据本公开的实施例的电子器件的结构的图。

图2A和图2B是示出根据本公开的实施例的半导体器件的结构的图。

图3A和图3B是示出根据本公开的实施例的半导体器件的结构的图。

图4A和图4B是示出根据本公开的实施例的半导体器件的结构的图。

图5A、图5B和图5C是示出根据本公开的实施例的制造电子器件的方法的图。

图6A、图6B和图6C是示出根据本公开的实施例的制造电子器件的方法的图。

图7A、图7B、图7C和图7D是示出根据本公开的实施例的制造电子器件的方法的图。

图8是示出包含了根据实施例的存储器件的微处理器的配置的图。