[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，其包括：

多个第一绝缘层，其在第一方向上彼此分开布置；

多个第一互连层，其与所述第一绝缘层交替堆叠并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；

多个第二互连层，其与所述第一绝缘层交替堆叠，在与所述第一和第二方向相交的第三方向上与所述第一互连层相邻布置并在所述第二方向上延伸；

多个第一半导体层，其在所述第一方向上延伸并穿过所述第一互连层和所述第一绝缘层；

多个第二半导体层，其在所述第一方向上延伸并穿过所述第二互连层和所述第一绝缘层；和

分离区域，其包含多个第一部分和多个第二部分，所述第一部分在所述第一方向上延伸，穿过所述第一绝缘层，提供在所述第一互连层和所述第二互连层之间并在所述第二方向上彼此分开布置，所述第二部分提供在所述第一互连层和所述第二互连层之间并从每个所述第一部分的外围突出，其中

从所述第一部分中的相邻第一部分突出的所述第二部分彼此连结，并且

所述第一互连层和所述第二互连层通过所述第一部分和所述连结的第二部分在所述第三方向上彼此分开。

2.根据权利要求1所述的装置，其中

每个所述第一部分包含第一导电层，并且每个所述第二部分包含第二绝缘层。

3.根据权利要求1所述的装置，其中

在与所述第一方向相交并且包含所述第一互连层中的一个和所述第二互连层中的一个的横截面中，所述第一部分中的两个相邻第一部分的中心之间的第一长度小于从所述第一部分中的一个的中心到与所述第一部分中的所述一个相对应的所述第二部分中的一个的外围的第二长度的两倍。

4.根据权利要求1所述的装置，其中

所述第一绝缘层的一部分提供在所述第一部分中的一个和与所述第一部分中的所述一个相邻的所述第一部分中的另一个之间。

5.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：

电荷存储层，其提供在所述第一半导体层中的一个和所述第一互连层中的一个之间。

6.根据权利要求1所述的装置，其中

所述第一部分和所述第二部分包含第二绝缘层，并且不包含任何导电层。

7.根据权利要求6所述的装置，其中

所述第二部分中的至少一个包含被所述第二绝缘层包围的气隙。

8.根据权利要求1所述的装置，其中

所述第一部分和所述第二部分中的每一个包含气隙。

9.根据权利要求8所述的装置，其中

所述分离区域包含提供在所述气隙的侧表面和底表面上的绝缘膜。

10.根据权利要求8所述的装置，其中

所述分离区域包含局部提供在所述气隙和所述第一互连层之间以及所述气隙和所述第二互连层之间的绝缘膜。

11.根据权利要求1所述的装置，其中

每个所述第一部分包含气隙，并且每个所述第二部分不包含气隙。

12.根据权利要求1所述的装置，其中

所述第一半导体层和所述第二半导体层中的每一个形成在在所述第一方向上耦合的多个层中；并且

每个所述第一部分形成在在所述第一方向上耦合的多个层中。

13.根据权利要求1所述的装置，其进一步包括：

外围分离区域，其将存储器单元阵列与其外围区域分开，

所述第一绝缘层、所述第一互连层、所述第二互连层、所述第一半导体层和所述第二半导体层形成所述存储器单元阵列的一部分，并且

所述外围分离区域具有与所述分离区域的结构基本上相同的结构。