[发明专利]半导体存储器装置

说明书

根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：多个第一绝缘层；多个第一互连层，其与所述第一绝缘层交替堆叠；多个第二互连层，其与所述第一互连层相邻布置；和分离区域，其包含多个第一部分和多个第二部分，所述第一部分提供在所述第一互连层和所述第二互连层之间，所述第二部分从每个所述第一部分的外围突出。所述第二部分彼此连结。所述第一互连层和所述第二互连层通过所述第一部分和所述连结的第二部分彼此分开。

相关申请的交叉引用

本申请基于2019年8月8日提交的日本专利申请第2019-146505号并要求其优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本文描述的实施例一般地涉及半导体存储器装置。

背景技术

NAND闪速存储器被称为半导体存储器装置。

发明内容

通常，根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：多个第一绝缘层，其在第一方向上彼此分开布置；多个第一互连层，其与所述第一绝缘层交替堆叠并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；多个第二互连层，其与所述第一绝缘层交替堆叠，在与所述第一和第二方向相交的第三方向上与所述第一互连层相邻布置并在所述第二方向上延伸；多个第一半导体层，其在所述第一方向上延伸并穿过所述第一互连层和所述第一绝缘层；多个第二半导体层，其在所述第一方向上延伸并穿过所述第二互连层和所述第一绝缘层；和分离区域，其包含多个第一部分和多个第二部分。所述第一部分在所述第一方向上延伸，穿过所述第一绝缘层，提供在所述第一互连层和所述第二互连层之间并在所述第二方向上彼此分开布置。所述第二部分提供在所述第一互连层和所述第二互连层之间并从每个所述第一部分的外围突出。从所述第一部分中的相邻第一部分突出的所述第二部分彼此连结。所述第一互连层和所述第二互连层通过所述第一部分和所述连结的第二部分在所述第三方向上彼此分开。

根据本实施例，可以提供一种能够降低制造成本的半导体存储器装置。

附图说明

图1是根据第一实施例的半导体存储器装置的框图；

图2是根据第一实施例的半导体存储器装置中包含的存储器单元阵列的电路图；

图3是根据第一实施例的半导体存储器装置中包含的存储器单元阵列的平面图；

图4是图3中示出的区域RA的放大图；

图5是沿图3的线A1-A2截取的横截面视图；

图6是沿图3的线B1-B2截取的横截面视图；

图7是沿图3的线C1-C2截取的横截面视图；

图8-16是示出了制造根据第一实施例的半导体存储器装置中包含的存储器单元阵列的过程的图；

图17是根据第二实施例的第一实例的半导体存储器装置的存储器单元阵列的横截面视图；

图18是根据第二实施例的第二实例的半导体存储器装置中包含的存储器单元阵列的横截面视图；

图19是根据第三实施例的半导体存储器装置中包含的存储器单元阵列的平面图；

图20是图19中示出的区域RA的放大图；

图21是沿图19的线A1-A2截取的横截面视图；

图22是沿图19的线B1-B2截取的横截面视图；

图23-29是示出了制造根据第三实施例的半导体存储器装置中包含的存储器单元阵列的过程的图；

图30是根据第四实施例的第一实例的半导体存储器装置中包含的存储器单元阵列的横截面视图；