[发明专利]半导体光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体光元件的制造方法，具有：

在基板上形成第一半导体层的工序；

在所述第一半导体层上形成掩模的工序；

使用所述掩模从所述第一半导体层形成第一台面的工序；

在所述第一半导体层中的从所述掩模露出的部分形成埋入所述第一台面的埋入层的工序；及

从所述第一台面形成第二台面的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体光元件的制造方法，其中，

所述掩模的面积为所述基板的面积的25％以下。

3.根据权利要求1或2所述的半导体光元件的制造方法，其中，

形成所述埋入层的工序是通过有机金属气相生长法形成作为化合物半导体层的所述埋入层的工序。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体光元件的制造方法，其中，

所述第一半导体层包括依次层叠的下部包层、芯层及上部包层，

所述埋入层形成于所述下部包层上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体光元件的制造方法，其中，

具有在所述第一半导体层及所述埋入层上形成第二半导体层的工序，

所述第二台面从第一台面及所述第二半导体层形成。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体光元件的制造方法，其中，

在形成所述埋入层的工序之后、形成所述第二台面的工序之前，具有向所述第一半导体层注入离子的工序。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体光元件的制造方法，其中，

所述第一台面及所述第二台面形成于所述半导体光元件中的成为臂波导、划线、形成电极的区域及光斑尺寸变换器的部分，

在形成所述第二台面的工序之后，具有从所述臂波导及所述划线去除所述埋入层的工序。

8.一种半导体光元件，具备：

基板；

形成于所述基板上的梯形形状的台面；及

形成于所述梯形形状的台面上的高台面构造的臂波导，

所述臂波导包括半导体层，所述半导体层包括芯层。

9.根据权利要求8所述的半导体光元件，还具备：

所述基板上的形成电极的区域；及

形成于所述基板上的埋入层，

所述形成电极的区域包括形成于所述基板上的多个第一台面及形成于所述多个第一台面之间的所述埋入层。

10.根据权利要求9所述的半导体光元件，其中，

还具备形成于所述基板上并且以光学方式耦合于所述臂波导的光斑尺寸变换器，

所述光斑尺寸变换器具有在单侧配置有所述芯层并且在与所述单侧相反的一侧配置有所述埋入层的台面形状。