[发明专利]半导体光元件及其制造方法

说明书

本发明提供半导体光元件及其制造方法。半导体光元件的制造方法具有：在基板上形成第一半导体层的工序；在所述第一半导体层上形成掩模的工序；使用所述掩模从所述第一半导体层形成第一台面的工序；在所述第一半导体层中的从所述掩模露出的部分形成埋入所述第一台面的埋入层的工序；及从所述第一台面形成第二台面的工序。

技术领域

本申请主张基于2019年8月7日申请的日本申请第2019-145772号的优先权，并援引在所述日本申请中记载的全部记载内容。

本发明涉及一种半导体光元件及其制造方法。

背景技术

一种由半导体层形成并且对光进行调制的光调制器被开发出(专利文献1)。

专利文献1：日本特开平11－251686号公报

发明内容

在半导体光元件中，设置埋入包含芯层等的台面的埋入层。在不层叠台面等埋入层的部分设置掩模，在不设置掩模的部分，使埋入层生长。但是，埋入层也有可能在掩模上生长，由于埋入层在掩模上生长，之后的工艺变得困难。因此，目的在于提供一种能够抑制埋入层在掩模上生长的半导体光元件及其制造方法。

本公开的半导体光元件的制造方法具有：在基板上形成第一半导体层的工序；在所述第一半导体层上形成掩模的工序；使用所述掩模从所述第一半导体层形成第一台面的工序；在所述第一半导体层中的从所述掩模露出的部分形成埋入所述第一台面的埋入层的工序；及从所述第一台面形成第二台面的工序。

本公开的半导体光元件具备：基板；形成于所述基板上的梯形形状的台面；及形成于所述梯形形状的台面上的高台面构造的臂波导，所述臂波导包括半导体层，所述半导体层包括芯层。

附图说明

图1A是例示出实施例1的半导体光元件的俯视图。

图1B是例示出半导体光元件的剖视图。

图1C是例示出半导体光元件的剖视图。

图1D是例示出半导体光元件的剖视图。

图1E是例示出半导体光元件的剖视图。

图2A是例示出半导体光元件的制造方法的俯视图。

图2B是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图2C是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图2D是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图2E是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图3A是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图3B是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图3C是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图3D是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图4A是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图4B是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图4C是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图4D是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图5A是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图5B是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图5C是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。

图5D是例示出半导体光元件的制造方法的剖视图。