[发明专利]预制熔接式电缆绝缘接头及其制造方法有效

专利信息
申请号: 202010777662.5 申请日: 2020-08-05
公开(公告)号: CN112038790B 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 廉宏程;林培斌;夏云杰;刘夏;吕殿泉;罗继宏 申请(专利权)人: 瑞邦电力科技有限公司
主分类号: H01R11/01 分类号: H01R11/01;H01R11/09;H01R4/70;H01R43/00
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 俞梁清
地址: 519000 广东省珠海市高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 预制 熔接 电缆 绝缘 接头 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种预制熔接式电缆绝缘接头,其特征在于,包括:

导体连接层(1),由两段需要续接的导体连接形成;

内半导电连接层(2),设置在所述导体连接层(1)外表面,并与需要续接或修复的两端电缆本体的内半导电层融熔结合;

第一绝缘恢复层(3),设置在所述内半导电连接层(2)外表面,其中一端与需要续接或修复的一端电缆本体的绝缘层融熔结合并交联;

第二绝缘恢复层(4)的一端与电缆本体的绝缘层融熔结合并交联,另一端与第一绝缘恢复层(3)融熔结合并交联;

第一外半导电层(5),至少靠近所述第二绝缘恢复层(4)的一端埋设在所述第一绝缘恢复层(3)内;

第二外半导电层(6),设置在所述第二绝缘恢复层(4)外表面,并可延伸至所述第一绝缘恢复层(3)外表面,所述第一外半导电层(5)与所述第二外半导电层(6)沿轴向方向部分重叠或者相邻端面平齐,所述重叠的部位或者相邻端面平齐部位沿径向方向断开;

其中,所述第一绝缘恢复层(3)、第二绝缘恢复层(4)和第一外半导电层(5)通过预制模组一次性融熔连接成型。

2.根据权利要求1所述的一种预制熔接式电缆绝缘接头,其特征在于,所述第一外半导电层(5)与所述第二外半导电层(6)所述重叠的部位或者所述相邻端面平齐的部位用绝缘断开。

3.根据权利要求1所述的一种预制熔接式电缆绝缘接头,其特征在于,所述预制模组包括:第一预制绝缘模块、第二预制绝缘模块和环形预制外半导体模片,所述第一预制绝缘模块沿轴向开设有环形槽,所述环形预制外半导体模片设置在所述环形槽内。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种预制熔接式电缆绝缘接头,其特征在于,所述第一外半导电层(5)与第二外半导电层(6)的端面均为光滑的圆弧面。

5.根据权利要求1或2或3所述的一种预制熔接式电缆绝缘接头,其特征在于,所述第一外半导电层(5)远离所述第二绝缘恢复层(4)的一端延伸出所述第一绝缘恢复层与对应电缆本体的外半导电层连接。

6.根据权利要求1或2或3所述的一种预制熔接式电缆绝缘接头,其特征在于,所述第二外半导电层(6)由内往外依次包括半导电漆层和半导电层。

7.根据权利要求1所述的一种预制熔接式电缆绝缘接头,其特征在于,所述第一外半导电层(5)采用的材料与需要续接或修复电缆本体的外半导电层材料相同,所述第一、第二绝缘恢复层(3、4)采用的材料与需要续接或修复电缆本体的绝缘层材料相同。

8.一种预制熔接式电缆绝缘接头制造方法,包括以下步骤:

恢复导体连接层;

在恢复的导体连接层外设置预制内半导体膜片,对预制内半导体模片进行加热加压,使其熔融交联并紧密结合在导体连接层上,并与需要续接或修复的两段电缆本体内半导电层无缝熔融结合并交联,形成内半导电连接层;

在所述内半导电连接层外设置第一预制绝缘模块和第二预制绝缘模块,所述第一预制绝缘模块沿轴向开设有环形槽,所述环形槽内设置有环形预制外半导体模片;对所述第一预制绝缘模块、所述第二预制绝缘模块和所述预制外半导体模片进行加热加压,形成第一绝缘恢复层、第二绝缘恢复层和第一外半导电层,所述第一绝缘恢复层和所述第二绝缘恢复层相互远离的一端分别与对应电缆本体的绝缘层融熔结合并交联,相邻端相互融熔结合并交联,所述第一外半导电层与所述第一绝缘恢复层复合并交联;所述第一绝缘恢复层和所述第二绝缘恢复层的内侧交联并紧密结合在所述内半导电层上;

在所述第一绝缘恢复层和所述第二绝缘恢复层的外侧恢复第二外半导电层,所述第二外半导电层的端面与所述第一外半导电层的端面平齐,或者第二外半导电层部分搭盖所述第一外半导电层。

9.根据权利要求8所述的一种预制熔接式电缆绝缘接头制造方法,其特征在于,所述内半导电连接层的恢复工艺还包括对复合完成的内半导电连接层进行表面抛光处理;所述第一绝缘恢复层与所述第二绝缘恢复层的恢复工艺还包括对复合完成的绝缘连接层进行表面抛光工艺处理。

10.根据权利要求8所述的一种预制熔接式电缆绝缘接头制造方法,其特征在于,所述第二外半导电层的恢复工艺包括:

在所述第一绝缘恢复层和所述第二绝缘恢复层的外侧涂覆半导电漆;

在所述半导电漆外层绕包半导电带。

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