[发明专利]一种晶体单线调向切割方法在审
申请号: | 202010779015.8 | 申请日: | 2020-08-05 |
公开(公告)号: | CN112026030A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 靳霄曦;张继光;徐伟;魏汝省;赵丽霞;李斌;樊晓 | 申请(专利权)人: | 山西烁科晶体有限公司 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04;B28D7/00 |
代理公司: | 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 | 代理人: | 崔雪花;冷锦超 |
地址: | 030006 山西省太*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 单线 切割 方法 | ||
本发明涉及一种晶体单线调向切割方法,属于晶体材料切割技术领域;解决现有晶体调向操作复杂,调向效率低的问题;具体步骤为:对晶体的基准面进行测量,找出偏角为零的方向,再测试该方向垂直角度,确定晶体偏角α;将晶体偏角为零的方向垂直固定在切割底座上,将切割底座紧固在单线切割装置上,并使单线切割装置的切割线紧贴晶体基准面;旋转晶体至对应偏角α,将料头截断,之后平移对刀,将料尾截断,得到调向后的晶体;本发明通过确定晶体偏角α和固定基准面的方式进行单线条向,快速确定切割角度,可有效提高晶体调向的效率,同时有效回收晶体多余部分,节约企业成本。
技术领域
本发明属于晶体材料切割技术领域,具体涉及一种晶体单线调向切割方法。
背景技术
晶体的切割技术是晶体在加工过程中的一个重要工序,在晶体的切割过程中,都会有晶向要求。由于晶体的各项特性,人们对各种晶体的使用有不同的晶向精度要求,且在切割过程中不同的晶面具有不同的硬度、弹性模量以及断裂强度,切割出来材料的厚度差和翘曲率也有很大差别。现有的切割设备不具备晶向检测装置,在加工过程中,首先需要切割出一个晶片,进行线下晶向角度测试后,再根据测试出的晶向角度,重新调整切割设备上的晶向调整机构,重新把晶体定向安装,再切一片经过线下晶向检测验证,如果晶向精度满足要求,才能进行后续连续批量切割。
而对于现有的晶体调向方法通常为:粘接底托-粗滚圆-平面磨头-去胶卸托-测试偏角-粘接底托-正弦台精调向(需要复杂计算)-平面磨-去胶卸托-检查测试-粘托调另一面,而对于其中的平面磨头步骤就至少消耗4h以上,整个调向、切割过程繁琐,复杂精度差,耗时很长,去除量大,加之人为操作水平不同等因素,导致加工风险加大,过程中易出错,不同晶棒所切的晶片晶向精度一致性差,材料浪费严重,切割效率低下。
发明内容
本发明克服了现有技术的不足,提出一种晶体单线调向切割方法。解决现有晶体调向操作复杂,调向效率低的问题。
为了达到上述目的,本发明是通过如下技术方案实现的。
一种晶体单线调向切割方法,包括以下步骤:
a)对晶体的基准面进行测量,找出正轴晶向,再测试垂直于该方向的晶向角度,确定晶体偏角α;
b)将晶体偏角为零的方向垂直固定在切割底座上,将切割底座紧固在单线切割装置上,并使单线切割装置的切割线紧贴晶体基准面;
c)旋转晶体至对应偏角α,将料头截断,之后平移对刀,将料尾截断,得到调向后的晶体。
优选的,在进行步骤a之前,将晶锭滚圆至单晶区,得到规则圆形晶体。
更优的,采用外圆磨床将晶锭滚圆,外圆磨床采用金刚石砂轮。
优选的,采用定向仪对晶体的基准面进行测量。
优选的,将晶体偏角为零的方向垂直粘接在切割底座上,粘接使用的粘接剂为环氧树脂胶。
优选的,所述的切割线为金刚石线,所述金刚石线中金刚石粒度为20-40μm,金刚石线的直径为140-300μm。
本发明相对于现有技术所产生的有益效果为。
本发明通过确定晶体偏角α和固定基准面的方式进行单线条向,快速确定切割角度,可有效提高晶体调向的效率,同时有效回收晶体多余部分,节约企业成本。
附图说明
图1是实施例所述使用定向仪测量碳化硅晶体的偏角α的示意图。
图2是实施例所述将碳化硅晶体粘结在切割底座上的示意图。
图3是实施例所述采用金刚石线单向切割的示意图。
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