[发明专利]用于电子装置的差分熔丝读出电路有效
申请号: | 202010779577.2 | 申请日: | 2020-08-05 |
公开(公告)号: | CN112863585B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 褚炜路;潘栋 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;G11C17/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子 装置 差分熔丝 读出 电路 | ||
1.一种电路,其包括:
电压线;
锁存电路,其特征在于开关电压阈值且耦合到所述电压线,其中所述锁存电路经配置以基于所述开关电压阈值产生用以确定熔丝的状态的输出;和
产生电路,其经配置以经由所述电压线耦合到所述锁存电路,其中所述产生电路经配置以响应于开关接通经由所述产生电路将所述锁存电路电耦合到提供第一电压的电压源而将所述电压线和所述锁存电路的一部分预充电到系统逻辑高电压与系统逻辑低电压之间的所述第一电压,且其中基于所述开关电压阈值选择所述第一电压。
2.根据权利要求1所述的电路,其包括:
额外电压线,其中所述产生电路经配置以将所述额外电压线预充电到所述系统逻辑低电压与所述开关电压阈值之间的第二电压。
3.根据权利要求1所述的电路,其包括经配置以使所述电压线偏压到所述第一电压的涓流电流电路。
4.根据权利要求1所述的电路,其包括所述熔丝,其中所述熔丝为熔丝阵列的部分。
5.根据权利要求4所述的电路,其中所述熔丝包括反熔丝。
6.根据权利要求1所述的电路,其中:
所述产生电路包括:
第一单位增益放大器,其耦合在所述电压线与所述电压源之间;及
可编程电阻器;及
所述产生电路经配置以至少部分地基于所述可编程电阻器产生所述第一电压。
7.根据权利要求6所述的电路,其包括额外电压线,所述额外电压线耦合到所述锁存电路和所述产生电路,其中所述产生电路经配置以将所述额外电压线预充电到第二电压,其中所述产生电路进一步包括第二单位增益放大器,所述第二单位增益放大器耦合在所述额外电压线与额外电压源之间,且其中所述可编程电阻器电耦合来自所述产生电路的所述第一单位增益放大器和所述第二单位增益放大器的各个输出路径,以产生所述第一电压和所述第二电压。
8.根据权利要求1所述的电路,其中所述产生电路经配置以至少部分地基于可编程电阻器产生所述第一电压,其中至少部分地基于描述所述第一电压的振荡量对所述可编程电阻器进行编程。
9.一种半导体装置,其包括:
差分熔丝读出电路,其包括锁存电路和产生电路,其中所述锁存电路特征在于开关电压阈值,其中所述差分熔丝读出电路经配置以基于所述开关电压阈值检测熔丝阵列的熔丝的状态,且所述产生电路经配置以产生在系统逻辑低电压和所述开关电压阈值之间的第一电压;和
控制系统,其经配置以:
将预充电信号发送到所述差分熔丝读出电路,其中所述预充电信号经配置以接通开关以将所述锁存电路的一部分和与所述熔丝相关联的第一电压线预充电到所述第一电压,其中所述第一电压是所述系统逻辑低电压与系统逻辑高电压之间的值,且其中接通的所述开关经由所述产生电路将所述锁存电路电耦合到提供所述第一电压的电压源,且其中基于所述开关电压阈值选择所述第一电压;且
将读取信号发送到经配置以放大所述第一电压线上存在的电压信号的所述锁存电路,其中在发送所述预充电信号之后发送所述读取信号。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其中所述控制系统经配置以发送预选通信号以使所述第一电压线偏压到所述第一电压。
11.根据权利要求9所述的半导体装置,其中所述产生电路包括经配置以将所述第一电压从模拟电压源缓冲到所述差分熔丝读出电路的单位增益放大器。
12.根据权利要求9所述的半导体装置,其中所述控制系统经配置以将带切口的熔丝信号发送到涓流电流电路,所述涓流电流电路经配置以使所述第一电压线经由第一开关偏压到所述第一电压。
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