[发明专利]用于电子装置的差分熔丝读出电路有效
申请号: | 202010779577.2 | 申请日: | 2020-08-05 |
公开(公告)号: | CN112863585B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 褚炜路;潘栋 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;G11C17/18 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子 装置 差分熔丝 读出 电路 | ||
本公开涉及用于电子装置的差分熔丝读出电路。一种电路可包含电压线及锁存电路。所述锁存电路的特征可在于开关电压阈值且可耦合到所述电压线。所述锁存电路可产生用以确定熔丝的状态的输出。所述电路还可包含经由所述电压线耦合到所述锁存电路的产生电路,其中所述产生电路经配置以将所述电压线预充电到系统逻辑低电压与所述开关电压阈值之间的第一电压。
技术领域
本公开涉及用于电子装置的差分熔丝读出电路。
背景技术
此部分旨在向读者介绍可能与本发明技术的各个方面相关的技术领域的各个方面,这些方面在下文中描述和/或要求。相信此论述有助于向读者提供背景信息以促进对本发明的各方面的更好理解。因此,应理解,应鉴于此来阅读这些陈述,而不是作为对现有技术的认可。
一般来说,电子装置,例如半导体装置、存储器芯片、微处理器芯片、图像芯片等等,可包含用于存储信息的熔丝的集合。举例而言,电子装置,例如半导体管芯,可包含一或多个熔丝阵列(例如,经编程以存储信息的熔丝或反熔丝的集合或网络)。电子装置可将一或多个熔丝阵列包含在相应电子装置内的一或多个位置中以为相应电子装置的不同电路组件提供支撑。举例而言,熔丝阵列可用于为集成于半导体管芯上的电路提供电压漂移或提供有关半导体管芯上的相应电路组件的信息(例如,冗余信息、晶片批号、管芯批号、晶片上的管芯方位)。
为了节省空间且使电子装置更紧密,用于电子元件的不同电路组件的熔丝阵列可定位于电子元件中的一个位置中,由此替换其它设计中位于整个装置的离散熔丝。半导体管芯可从熔丝阵列读取信息(例如,冗余信息、晶片批号、管芯批号、晶片上的管芯方位)且将所述信息发射到安置于电子装置内的某一位置处的相应电路组件。
出于这种考虑,应注意,电子装置的条件会影响熔丝读数过程的可靠性。举例而言,电源的条件或设定(例如,其输出),例如在装置启动、初始化或配置之后的稳定周期期间,可导致错误熔丝读取。任何此类读取错误可在整个装置操作中导致持续性问题,直到下次启动、初始化或配置为止。因此,需要提供用于确保精确及高效的熔丝读取操作的改进系统和方法。然而,这些改进系统及方法可耗费相对较长的时间量来读取熔丝状态,例如,归因于用于将再生锁存电路充电到开关阈值以使得能够读取与熔丝状态相关联的输出的时间量。以此方式,可能需要提供用于改进(例如,减少)用以执行熔丝读取操作的时间段的系统和方法。
发明内容
在一个方面中,本申请提供一种电路,其包括:电压线;锁存电路,其特征在于开关电压阈值且耦合到所述电压线,其中所述锁存电路经配置以产生用以确定熔丝的状态的输出;和产生电路,其经由所述电压线耦合到所述锁存电路,其中所述产生电路经配置以将所述电压线预充电到系统逻辑高电压与所述开关电压阈值之间的第一电压。
在另一方面中,本申请进一步提供一种半导体装置,其包括:差分熔丝读出电路,其经配置以检测熔丝阵列的熔丝的状态,其中所述差分熔丝读出电路包括特征在于开关电压阈值的锁存电路;和控制系统,其经配置以:将预充电信号发送到所述差分熔丝读出电路,其中所述预充电信号经配置以将与所述熔丝相关联的第一电压线预充电到系统逻辑低电压与所述开关电压阈值之间的第一电压;且将读取信号发送到经配置以放大所述第一电压线上存在的电压信号的所述锁存电路,其中在发送所述预充电信号之后发送所述读取信号。
在又一方面中,本申请进一步提供一种方法,其包括:将预充电信号发射到差分熔丝读出电路,其中所述预充电信号经配置以将与熔丝相关联的第一电压线预充电到系统逻辑低电压与开关电压阈值之间的第一电压,所述开关电压阈值与所述差分熔丝读出电路相关联;和将读取信号发射到经配置以放大所述第一电压线上存在的电压信号的锁存电路,其中在发送所述预充电信号之后发送所述读取信号。
附图说明
在阅读以下详细描述并且参考图式之后可更好地理解本公开的各个方面,在图式中:
图1为说明根据本公开的实施例的电子装置的简化框图,所述电子装置包含用于读取不同熔丝阵列中的熔丝的状态的差分熔丝读出电路;
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