[发明专利]碳化硅晶体熔体生长装置在审
| 申请号： | 202010780048.4 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN111676519A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 郑红军 | 申请（专利权）人： | 郑红军 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张延薇 |
| 地址： | 100000 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体 生长 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，包括锅体和第一碳模块；
所述第一碳模块设置在所述锅体的内壁上。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，所述第一碳模块的形状为条形，所述第一碳模块的长度方向沿所述锅体的内壁延伸。
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，所述第一碳模块的数量为多个，多个所述第一碳模块相互之间具有间隙。
4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，所述第一碳模块的横截面形状包括半圆形、三角形、四边形或梯形中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，所述锅体的底部设置有第二碳模块。
6.根据权利要求5所述的碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，所述第二碳模块立设在所述锅体的底部。
7.根据权利要求1所述的碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，所述第一碳模块与所述锅体一体设置。
8.根据权利要求1所述的碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，所述第一碳模块的材质与所述锅体的材质相同。
9.根据权利要求1所述的碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，所述锅体上设置有定位装置，用于对籽晶杆进行定位。
10.根据权利要求9所述的碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，所述定位装置上还设置有调节结构，用于调节籽晶杆的位置和进入所述锅体内部的长度。
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