[发明专利]碳化硅晶体熔体生长装置

说明书

本发明涉及碳化硅晶体生长装置领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体熔体生长装置。碳化硅晶体熔体生长装置包括锅体和第一碳模块；所述第一碳模块设置在所述锅体的内壁上。本发明的有益效果是：通过在锅体的内壁上设置第一碳模块，通过第一碳模块的设置，增加了锅体内壁与锅体内部的熔体的接触面积，提高了碳的溶解效率，能够为碳化硅晶体生长提供了稳定的碳供应。

技术领域

本发明涉及碳化硅晶体生长装置领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体熔体生长装置。

背景技术

碳化硅是受到广泛关注的宽带隙半导体材料之一，具有密度低、禁带宽度大、击穿场强高、热稳定性和化学稳定性好、频率响应特性优良等优点，是制作高频、高压、大功率器件和蓝光发光二极管的理想衬底材料。

碳化硅目前的主要生长方法是物理气相传输法，虽然该方法较为成熟，目前能为市场供应大量碳化硅单晶衬底，但由于生长环境不稳定性，其晶体中还存在着例如微管，包裹等缺陷，在扩径、P型晶体生长方面难以实现等问题。与之对比，熔体法生长所需生长温度低，生长环境相对平稳，且在P型晶体与扩径等方面具有良好前景。

碳化硅熔体生长过程中，需要在顶部籽晶处与坩埚底部形成温差，在坩埚底(温度较高处)进行溶质的溶解，即从石墨坩埚中溶解碳，形成富碳溶液，从而形成稳定的碳的供应。

但是，在现有技术中，从石墨坩埚中溶解碳的效率较低，使得在进行碳化硅晶体生长的时候，无法形成稳定的碳供应。

发明内容

本发明的目的在于提供一种碳化硅晶体熔体生长装置，其能够通过在锅体的内壁上设置第一碳模块，通过第一碳模块的设置，增加了锅体内壁与锅体内部的熔体的接触面积，提高了碳的溶解效率，能够为碳化硅晶体生长提供了稳定的碳供应。

本发明的技术方案是这样的：

一种碳化硅晶体熔体生长装置，其包括锅体和第一碳模块；

所述第一碳模块设置在所述锅体的内壁上。

优选的，所述第一碳模块的形状为条形，所述第一碳模块的长度方向沿所述锅体的内壁延伸。

优选的，所述第一碳模块的数量为多个，多个所述第一碳模块相互之间具有间隙。

优选的，所述第一碳模块的横截面形状包括半圆形、三角形、四边形或梯形中的至少一种。

优选的，所述锅体的底部设置有第二碳模块。

优选的，所述第二碳模块立设在所述锅体的底部。

优选的，所述第一碳模块与所述锅体一体设置。

优选的，所述第一碳模块的材质与所述锅体的材质相同。

优选的，所述锅体上设置有定位装置，用于对籽晶杆进行定位。

优选的，所述定位装置上还设置有调节结构，用于调节籽晶杆的位置和进入所述锅体内部的长度。

本发明的有益效果是：

通过在锅体的内壁上设置第一碳模块，通过第一碳模块的设置，增加了锅体内壁与锅体内部的熔体的接触面积，提高了碳的溶解效率，能够为碳化硅晶体生长提供了稳定的碳供应。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提供的碳化硅晶体熔体生长装置的第一种结构示意图；