[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和计算机可读取记录介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置具备：

处理室，其处理基板；

主排气线，其具备从上述处理室排出气体的第一配管、设置在上述第一配管的第一开度调整阀、设置在上述第一配管的开关阀、设置在上述第一配管且检测上述处理室的压力的压力传感器；

旁路排气线，其具备与上述主排气线连接且口径小于上述第一配管的第二配管和设置在上述第二配管的第二开度调整阀；以及

控制部，其构成为，能够根据来自上述压力传感器的信息，调整上述第二开度调整阀的开度并且将上述处理室减压至上述第一压力，当达到上述第一压力时使上述第二开度调整阀关闭并开放上述开关阀和上述第一开度调整阀，将上述处理室减压至第二压力，当上述处理室达到第二压力时关闭上述开关阀以及上述第一开度调整阀，调整上述第二开度调整阀的开度并使上述处理室成为处理压力。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第二配管的口径小于上述第一配管。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述压力传感器具备第一真空传感器和第二真空传感器，

根据来自上述第一真空传感器的信息，减压至上述第二压力，并根据来自上述第二真空传感器的信息，从上述第二压力成为处理压力。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在减压至上述第一压力的工序中，关闭上述开关阀和上述第一开度调整阀。

5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

将上述第一开度调整阀的开度维持为0％。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在减压至上述第二压力的工序中，将上述第一开度调整阀的开度维持为100％。

7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第一配管与上述第二配管的直径的比为1.0:0.2以上且1.0:0.8以下。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述第二配管的直径为80mm以上且100mm以下。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在减压至上述第一压力的工序、减压至上述第二压力的工序、从上述第二压力成为上述处理压力的工序中的任意一个工序中，供给吹扫气体。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述处理压力低于上述第二压力时，达到低于上述第二压力的预定的真空压力，供给上述吹扫气体并调整上述第二开度调整阀的开度而成为上述处理压力。

11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述处理压力高于上述第二压力时，调整上述第一开度调整阀的开度而成为上述预定的处理压力。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

该方法具有以下工序：

准备基板处理装置的工序，上述基板处理装置具备：处理基板的处理室；主排气线，其具备从上述处理室排出气体的第一配管、设置在上述第一配管的第一开度调整阀、设置在上述第一配管的开关阀、设置在上述第一配管且检测上述处理室的压力的压力传感器；以及旁路排气线，其具备与上述主排气线连接且口径小于上述第一配管的第二配管和设置在上述第二配管的第二开度调整阀；

根据来自上述压力传感器的信息，调整上述第二开度调整阀的开度并将上述处理室减压至第一压力的工序；

当达到上述第一压力时关闭上述第二开度调整阀并开放上述开关阀和上述第一开度调整阀，将上述处理室减压至第二压力的工序；以及

当上述处理室达到上述第二压力时关闭上述开关阀以及上述第一开度调整阀，调整上述第二开度调整阀的开度，使上述处理室成为处理压力的工序。

13.一种记录有基板处理程序的计算机可读取记录介质，该基板处理程序由基板处理装置来执行，该基板处理装置具备：处理基板的处理室；主排气线，其具备从上述处理室排出气体的第一配管、设置在上述第一配管的第一开度调整阀、设置在上述第一配管的开关阀、设置在上述第一配管且检测上述处理室的压力的压力传感器；以及旁路排气线，其具备与上述主排气线连接且口径小于上述第一配管的第二配管和设置在上述第二配管的第二开度调整阀，其特征在于，

该基板处理程序通过计算机使上述基板处理装置执行以下步骤：

根据来自上述压力传感器的信息，调整上述第二开度调整阀的开度并将上述处理室减压至第一压力的步骤；

当达到上述第一压力时关闭上述第二开度调整阀并开放上述开关阀和第一开度调整阀，将上述处理室减压至第二压力的步骤；以及

当上述处理室达到上述第二压力时关闭上述开关阀和第一开度调整阀，调整上述第二开度调整阀的开度，使上述处理室成为处理压力的步骤。