[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和计算机可读取记录介质

说明书

本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和基板处理程序。目的为不扩散处理室的粒子而在短时间内将处理室设为高真空状态。本发明具备：处理室；主排气线，其具备从处理室排出气体的第1配管、设置在第1配管的第1开度调整阀和开关阀、设置在第1配管的压力传感器；旁路排气线，其具备与主排气线连接的第二配管和设置在第二配管的第二开度调整阀；控制部，其根据压力传感器的信息调整第二开度调整阀的开度并将处理室减压到第一压力，当达到第一压力时关闭第二开度调整阀并开放开关阀和第一开度调整阀，将处理室减压到第二压力，当处理室达到第二压力时关闭开关阀和第一开度调整阀并调整第二开度调整阀的开度，使处理室成为处理压力。

技术领域

本公开的技术涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及基板处理程序。

背景技术

在半导体装置(半导体设备)的制造工序中，垂直基板处理装置可以用作处理包含半导体的被处理体即半导体基板(以下简称为基板)的装置。特别是在专利文献1中记载有以下几点：在减压状态下进行基板处理的基板处理装置中，设置通过排气装置前后的旁路线，在该旁路线上设置开关阀、APC(Auto Proessure Control自动压力控制)阀，并且将该开关阀旁通，设置具有开关阀的旁路线、以及在主线和旁路线双方配备APC阀。

在专利文献1中记载有，通过在旁路线上配置APC阀，从大气压缓慢地减压直到反应室成为预定压力为止，使得不会由于反应室与涡轮分子泵的差压而使反应室内的粒子(石英)扩散。

但是，在这种情况下，旁路线的配管的口径比主线的配管的口径小很多，所以有时从大气压减压到预定压力需要时间。另一方面，在近年来的基板处理中，与以往相比有时需要使处理室成为高真空状态的成膜处理。

专利文献

专利文献1：日本特开平11-300193号公报

发明内容

本公开的目的为不扩散处理室的粒子而在短时间内将处理室设为高真空状态。

根据本公开提供一种基板处理装置，构成为具备：处理室，其处理基板；主排气线，其具备从上述处理室排出气体的第1配管、设置在上述第1配管的第1开度调整阀、设置在上述第1配管的开关阀、设置在上述第1配管且检测上述处理室的压力的压力传感器；旁路排气线，其具备与上述主排气线连接的第2配管和设置在上述第2配管的第2开度调整阀；以及控制部，其根据来自上述压力传感器的信息，调整上述第二开度调整阀的开度并将上述处理室减压至第一压力，当达到上述第一压力时使上述第二开度调整阀关闭并开放上述开关阀和上述第一开度调整阀，上述处理室减压至第二压力，当上述处理室达到第二压力时关闭上述开关阀以及上述第一开度调整阀，调整上述第二开度调整阀的开度，并将上述处理室设为处理压力。

根据本公开的基板处理装置，能够不扩散处理室的粒子而在短时间内使处理室成为高真空状态。

附图说明

图1是表示本公开一个实施方式的基板处理装置的整体结构的概略图。

图2是表示本公开一个实施方式的排气系统的主视图。

图3是表示本公开一个实施方式的排气系统的从大气压减压到第一压力时的动作以及从第二压力减压到高真空区域时的动作的一例的概略图。

图4是表示本公开一个实施方式的排气系统的从第一压力减压到第二压力时的动作的一例的概略图。

图5是表示本公开一个实施方式的排气系统动作的减压状态的图表。

图6是表示本公开一个实施方式的排气系统的动作的流程图。

附图标记的说明