[发明专利]一种纳米片状氧化亚硅及其复合负极材料有效
申请号: | 202010780626.4 | 申请日: | 2020-08-05 |
公开(公告)号: | CN111969196B | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 王星明;王宁;杨娟玉;刘宇阳;桂涛;白雪;王武育;储茂友;韩沧;段华英 | 申请(专利权)人: | 有研资源环境技术研究院(北京)有限公司 |
主分类号: | H01M4/48 | 分类号: | H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525;C23C16/40;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘秀青 |
地址: | 101407 北京市怀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 片状 氧化 及其 复合 负极 材料 | ||
1.一种纳米片状氧化亚硅的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
(1)以Si和SiO2为原料,采用气相沉积法制备得到氧化亚硅块体;
(2)氧化亚硅块体采用万能粉碎机进行破碎;
(3)采用液相高能球磨法进行处理,球磨介质为无水乙醇,球磨转速为200-500 rpm,球磨时间为6-56 h;
所述纳米片状氧化亚硅的化学式为SiOx,其中0.9x1.1;并且具有纳米片状颗粒形貌;所述纳米片状氧化亚硅由激光粒度仪测试的中位粒径D50为100-1000nm,最大颗粒直径D99.9<1000nm;且最小颗粒直径D0.1>10 nm;所述纳米片状氧化亚硅由氮吸附测试的比表面积为50-150 m2/g;所述纳米片状氧化亚硅的颗粒平面方向的平均直径为100-1000nm,颗粒厚度为10-50nm,并且颗粒平面方向的平均直径与颗粒厚度的比值大于5。
2.根据权利要求1所述的纳米片状氧化亚硅的制备方法,其特征在于,所述纳米片状氧化亚硅由激光粒度仪测试的中位粒径D50为200-400nm。
3.根据权利要求1所述的纳米片状氧化亚硅的制备方法,其特征在于,所述纳米片状氧化亚硅由氮吸附测试的比表面积为90-110 m2/g。
4.一种复合负极材料,其特征在于,包含权利要求1-3中任一项制备得到的纳米片状氧化亚硅及添加剂,其中纳米片状氧化亚硅的质量分数为5%-50%。
5.根据权利要求4所述的复合负极材料,其特征在于,所述添加剂为石墨、无定型碳、二氧化硅、二氧化钛、氧化铝中的一种或多种。
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