[发明专利]OTP存储单元及OTP存储阵列器件

权利要求书

1.一种OTP存储单元，该OTP存储单元包括：

衬底；

形成在所述衬底上的一个选择MOS晶体管，该选择MOS晶体管包括依次形成在所述衬底之上的第一栅氧化层和第一栅极，还包括在所述第一栅极两侧的所述衬底中分别形成的第一源区和第一漏区；

形成在所述衬底上的至少一个第一型存储MOS晶体管，每一所述第一型存储MOS晶体管的结构形成与所述第一源区串联的两个等效电容，所述两个等效电容并联。

2.根据权利要求1所述的OTP存储单元，其中，该OTP存储单元还包括：

形成在所述衬底上的至少一个第二型存储MOS晶体管，每一所述第二型存储MOS晶体管的结构形成与所述第一源区串联的一个等效电容。

3.根据权利要求2所述的OTP存储单元，其中，所述第一型存储MOS晶体管和第二型存储MOS晶体管包括：

依次形成在所述衬底之上的第二栅氧化层和第二栅极；

形成在所述第二栅氧化层下部的所述衬底中的掺杂区，所述掺杂区与所述第一源区短接。

4.根据权利要求3所述的OTP存储单元，其中：

所述掺杂区与所述第一源区在所述衬底中集成在一起以形成短接；或

所述掺杂区与所述第一源区通过接触线连接。

5.根据权利要求4所述的OTP存储单元，其中：

所述掺杂区包括在所述第二栅极靠近所述第一栅极的一侧的所述衬底中形成的第二漏区。

6.根据权利要求4所述的OTP存储单元，其中：

所述掺杂区包括在所述第二栅极两侧的所述衬底中分别形成的第二源区和第二漏区；

所述第二源区和所述第二漏区通过短接线连接。

7.根据权利要求3所述的OTP存储单元，其中，该OTP存储单元还包括：

与所述第一栅极短接的字线、与所述第一漏区短接的位线以及与所述第二栅极短接的编程线。

8.根据权利要求2所述的OTP存储单元，其中：

所述选择MOS晶体管、所述第一型存储MOS晶体管和所述第二型存储MOS晶体管中任一或全部是鳍形场效应晶体管。

9.根据权利要求3所述的OTP存储单元，其中：

所述第一栅极和所述第二栅极平行排列。

10.根据权利要求3所述的OTP存储单元，其中：

所述第一栅氧化层的厚度大于所述第二栅氧化层。

11.一种OTP存储阵列器件，该OTP存储阵列器件包括：

至少一条纵向存储单元队列和至少一条横向存储单元队列，其中每一所述纵向存储单元阵列和所述横向存储单元阵列包括多个如权利要求1至10任一项所述的OTP存储单元。