[发明专利]蚀刻方法及基板处理装置

权利要求书

1.一种蚀刻方法，包括：

准备基板的工序，该基板具有第一基底层、形成在比所述第一基底层深的位置处的第二基底层、形成在所述第一基底层和所述第二基底层上的氧化硅膜、以及形成在所述氧化硅膜上的掩模，该掩模具有形成在所述第一基底层上方的第一开口和形成在所述第二基底层上方的第二开口；

使用第一气体从所述第一开口对所述氧化硅膜进行蚀刻，使所述第一基底层暴露的工序；

使用第二气体使沉积物在所述第一基底层上沉积，同时从所述第二开口对所述第二基底层上方的所述氧化硅膜进行蚀刻的工序；以及

使用第三气体将沉积在所述第一基底层上的沉积物去除，同时从所述第二开口对所述第二基底层上方的所述氧化硅膜进行蚀刻的工序，

其中，将使用所述第二气体进行蚀刻的工序和使用所述第三气体进行蚀刻的工序重复多次。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

所述第三气体包含第一含CF气体、以及氧气，

所述第二气体包含与所述第一含CF气体不同的第二含CF气体、以及氧气。

3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其中，

所述第二含CF气体的C/F比小于所述第一含CF气体的C/F比。

4.根据权利要求2或3所述的蚀刻方法，其中，

预定的温度范围内的所述第二含CF气体的吸附系数小于所述温度范围内的所述第一含CF气体的吸附系数。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的蚀刻方法，其中，

所述第一含CF气体为C₄F₆，所述第二含CF气体为C₃F₈。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的蚀刻方法，其中，

所述第三气体中所含的C/O比小于1.3，所述第二气体中所含的C/O比为1.3以上。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的蚀刻方法，其中，

所述第二气体中所含的氧气的流量少于所述第三气体中所含的氧气的流量。

8.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其中，

预定的温度范围为110℃～160℃的范围。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的蚀刻方法，其中，

所述第一基底层和所述第二基底层为钨。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的蚀刻方法，其中，

所述第一基底层和所述第二基底层为硅。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的蚀刻方法，其中，

使用所述第二气体进行蚀刻的工序的处理时间短于使用所述第三气体进行蚀刻的工序的处理时间。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的蚀刻方法，其中，

对使用所述第二气体进行蚀刻的工序和使用所述第三气体进行蚀刻的工序进行重复的工序是在所述第二基底层暴露之前进行。

13.根据权利要求12所述的蚀刻方法，其中，

具有形成在比所述第二基底层深的位置处的第三基底层，在所述第三基底层上形成有所述氧化硅膜，

对使用所述第二气体进行蚀刻的工序和使用所述第三气体进行蚀刻的工序进行重复的工序是在所述第二基底层暴露之前进行了之后，在所述第二基底层暴露之后且所述第三基底层暴露之前进行。

14.一种基板处理装置，包括：

供给气体的气体供给源；

施加高频功率的高频电源；

从所供给的气体利用高频功率生成等离子体的等离子体生成部；以及

控制部，

其中，所述控制部对以下工序进行控制：

准备基板的工序，该基板具有第一基底层、形成在比所述第一基底层深的位置处的第二基底层、形成在所述第一基底层和所述第二基底层上的氧化硅膜、以及形成在所述氧化硅膜上的掩模，该掩模具有形成在所述第一基底层上方的第一开口和形成在所述第二基底层上方的第二开口；

使用第一气体从所述第一开口对所述氧化硅膜进行蚀刻，使所述第一基底层暴露的工序；

使用第二气体使沉积物在所述第一基底层上沉积，同时从所述第二开口对所述第二基底层上方的所述氧化硅膜进行蚀刻的工序；以及

使用第三气体将沉积在所述第一基底层上的沉积物去除，同时从所述第二开口对所述第二基底层上方的所述氧化硅膜进行蚀刻的工序，

所述控制部以将使用所述第二气体进行蚀刻的工序和使用所述第三气体进行蚀刻的工序重复多次的方式进行控制。