[发明专利]蚀刻方法及基板处理装置在审

申请号：	202010781745.1	申请日：	2020-08-06
公开（公告）号：	CN112349585A	公开（公告）日：	2021-02-09
发明（设计）人：	渡部诚一;山田纮己;佐藤学	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/311	分类号：	H01L21/311;H01L21/67;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01J37/305
代理公司：	北京品源专利代理有限公司 11332	代理人：	吕琳;朴秀玉
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	蚀刻方法处理装置
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【说明书】：

一种蚀刻方法，其对高度不同的多个基底层的损伤进行抑制，同时将各基底层上的氧化硅膜蚀刻至不同深度。该蚀刻方法包括准备基板的工序，该基板具有高度不同的第一基底层和第二基底层、形成在第一基底层和第二基底层上的氧化硅膜、以及形成在氧化硅膜上并且具有第一基底层和第二基底层上方的第二开口的掩模；使用第一气体对氧化硅膜进行蚀刻，使第一基底层暴露的工序；使用第二气体使沉积物在第一基底层上沉积，同时对第二基底层上方的氧化硅膜进行蚀刻的工序；以及使用第三气体将沉积在第一基底层上的沉积物去除，同时对第二基底层上方的氧化硅膜进行蚀刻的工序，其中，将使用第二气体进行蚀刻的工序和使用第三气体进行蚀刻的工序重复多次。

技术领域

本公开涉及一种蚀刻方法及基板处理装置。

背景技术

例如，专利文献1提出了一种方法，其准备具有位于不同高度的多个基底层、以及形成在该多个基底层上的对象膜的基板，并使用具有位于各基底层上方的多个开口的掩模在对象膜上蚀刻深度不同的孔。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2019-9259号公报

发明内容

本发明要解决的问题

本公开提供一种蚀刻方法及基板处理装置，其对位于不同高度的多个基底层的损伤进行抑制，同时对各基底层上的氧化硅膜进行不同深度的蚀刻。

用于解决问题的手段

根据本公开的一个实施方式，提供一种蚀刻方法，包括：准备基板的工序，该基板具有第一基底层、形成在比所述第一基底层深的位置处的第二基底层、形成在所述第一基底层和所述第二基底层上的氧化硅膜、以及形成在所述氧化硅膜上的掩模，该掩模具有形成在所述第一基底层上方的第一开口和形成在所述第二基底层上方的第二开口；使用第一气体从所述第一开口对所述氧化硅膜进行蚀刻，使所述第一基底层暴露的工序；使用第二气体使沉积物在所述第一基底层上沉积，同时从所述第二开口对所述第二基底层上方的所述氧化硅膜进行蚀刻的工序；以及使用第三气体将沉积在所述第一基底层上的沉积物去除，同时从所述第二开口对所述第二基底层上方的所述氧化硅膜进行蚀刻的工序，其中，将使用所述第二气体进行蚀刻的工序和使用所述第三气体进行蚀刻的工序重复多次。

发明的效果

根据一个方面，能够对位于不同高度的多个基底层的损伤进行抑制，同时对各基底层上的氧化硅膜进行不同深度的蚀刻。

附图说明

图1是示出根据一个实施方式的基板处理装置的剖面示意图。

图2是示出膜结构及传统的问题的图。

图3是示出根据一个实施方式的蚀刻方法的流程图。

图4A是示出根据一个实施方式的蚀刻方法的各工序中的基板上的膜的剖面图。

图4B是示出根据一个实施方式的蚀刻方法的各工序中的基板上的膜的剖面图。

图4C是示出根据一个实施方式的蚀刻方法的各工序中的基板上的膜的剖面图。

图5是示出根据一个实施方式的蚀刻方法的各工序中的孔内的状态的图。

图6是示出根据一个实施方式的蚀刻方法的效果的图。

图7是示出根据一个实施方式的蚀刻方法的实验结果的图。