[发明专利]电子器件制造装置及方法、半导体装置和显示器

权利要求书

1.一种电子器件制造装置，其具备：

输送部，其输送涂敷了感光性材料的、具有光的照射部分和未照射部分的基板；

等离子体产生部，其具有配置于由所述输送部输送的所述基板的一个面侧的第1电极和第2电极，对所述第1电极与所述第2电极之间施加电压，使所述第1电极与所述第2电极之间产生等离子体；以及

雾供给部，其使含有具有导电性的材料的雾通过所述第1电极与所述第2电极之间而供给至所述基板的所述一个面。

2.根据权利要求1所述的电子器件制造装置，其中，

所述电子器件制造装置还具备曝光部，所述曝光部以与电子器件用图案的形状对应的分布对所述感光性材料照射光。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件制造装置，其中，

所述感光性材料是感光性硅烷偶联材料。

4.根据权利要求1或2所述的电子器件制造装置，其中，

所述光是紫外线。

5.根据权利要求1或2所述的电子器件制造装置，其中，

所述雾供给部沿着与所述基板垂直的面供给所述雾。

6.根据权利要求1或2所述的电子器件制造装置，其中，

所述基板是具有挠性的树脂。

7.根据权利要求6所述的电子器件制造装置，其中，

所述输送部利用旋转滚筒的外周面支承所述基板，

所述雾供给部对由所述旋转滚筒的外周面支承的所述基板供给所述雾。

8.根据权利要求1或2所述的电子器件制造装置，其中，

所述电子器件制造装置还具备：

膜厚计测部，其对所述雾被供给至所述基板从而形成的膜的膜厚进行计测；以及

控制部，其根据由所述膜厚计测部计测出的所述膜厚的结果，对施加在所述第1电极与所述第2电极之间的所述电压进行控制。

9.根据权利要求1或2所述的电子器件制造装置，其中，

所述等离子体产生部具有对所述第1电极与所述第2电极之间施加电压的电源部，

所述电源部以1kHz以上且不足6kHz的频率对所述第1电极与所述第2电极之间施加电压。

10.根据权利要求1或2所述的电子器件制造装置，其中，

所述等离子体产生部具有对所述第1电极与所述第2电极之间施加电压的电源部，

所述电源部对所述第1电极与所述第2电极之间施加19kV以上的电压。

11.根据权利要求10所述的电子器件制造装置，其中，

所述电源部通过施加电压而使所述第1电极与所述第2电极之间产生3.8×10⁶V/m以上的电场。

12.根据权利要求1或2所述的电子器件制造装置，其中，

所述具有导电性的材料是含有铟、锌、锡以及钛中的任意一个以上的金属或金属氧化物微粒。

13.根据权利要求1或2所述的电子器件制造装置，其中，

所述具有导电性的材料是含有锌、铟、锡、镓、钛、铝、铁、钴、镍、铜、硅、铪、钽、钨中的任意一个以上的金属盐或金属配合物。

14.一种半导体装置，其是利用权利要求1-13中的任意一项所述的电子器件制造装置制造的。

15.一种显示器，其是利用权利要求1-13中的任意一项所述的电子器件制造装置制造的。